Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies - Campus de Marcoussis
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Technologies Génériques > Traitements thermiques
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Thermique

Trait horizontal

Puce Présentation

Puce Membres

Puce Stages passés et en cours


Trait vertical

Puce Missions et Objectifs

Ce pôle de compétence rassemble tous les procédés nécessitant un traitement haute température dans la plage 200°C 1000°C. On peut distinguer les recuits thermiques rapides, les techniques de collage, les oxydations sèche et humide, et les recuits lents de polymères.

Puce Activités, Résultats marquants

  • Recuits thermiques rapides, essentiellement dédiés à l'alliage de métaux sur semiconducteur pour la réalisation de contacts.
  • Recuits lents, essentiellement dédiés au durcissement des polymères (BCB, polymide).
  • Techniques de collage.
    Collage or/indium :

Le procédé de brasure or/indium permet de reporter des échantillons sur un substrat hôte à l'aide de la formation à l'interface de l'alliage AuIn2. Une des applications du procédé de brasure Au/In est le report de dispositifs microélectroniques III-V sur Si dans le but d'améliorer leurs performances par une meilleure thermalisation et d'intégrer des composants III-V sur les circuits silicium.

Collage hétéroépitaxial :

Cette technique de collage développée par le groupe ELPHYSE consiste à joindre deux substrats différents de façon indissociable sans aucun matériau à l'interface et qui permet de confiner les dislocations dues au désaccord de maille dans le plan de l'interface.

  • Oxydation sèche et humide

Nous avons développé des procédés d'oxydation humide permettant principalement la réalisation d'oxydation du silicium pour la réalisation de couches SiO2 thermique.
Par ailleurs nous avons développé des procédés d'oxydation humide d'Al(Ga)As pour la réalisation d'alternances à fort contraste d'indice AlGaAs/AlOx nécessaires aux dispositifs à microcavité et aux sources lasers à cavité verticale.

Puce Moyens Techniques

FourRecuitLent Four AET 3 tubes
pour le recuit lent, l'oxydation sèche et humide
white FourAETRapid Four AET de recuit rapide
FourRapidSi Four de recuit rapide
Développé en interne
white four_press_collage Four dédié au collage épitaxial
Four d'oxydation humide de l'Al(Ga)As
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Puce Membres

Contacts

 Lafosse Xavier  (+33) 1 69 63 60 73  
 Mauguin Olivia  (+33) 1 69 63 61 07  
 Merghem Kamel  (+33) 1 69 63 60 02  

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Puce Stages passés et en cours

Stage


  • Etude et caractérisation de la résistivité de contacts métalliques alliés sur fines couches de semi-conducteurs III-V

  • Y. Bonnot-(2003-04-10 / 2003-06-15)
    Niveau : DUT
    Contact : K. Merghem
    Groupe :


    En savoir plus
    Stage de DUT - L'objet du stage consiste à optimiser les paramètres PID d'un four de recuit rapide (AET) afin d'obtenir la meilleure réponse du four, pour différents suscepteurs d'inertie thermique variable, et pour différentes températures de pallier de recuit. Les recuits concerne principalement des dispositifs optoélectroniques et micro-électroniques III-V (sur substrats InP et GaAs). Il s'agit ensuite d'utiliser les configurations optimisées du four pour définir des procédés de recuit rapide reproductibles et permettant d'obtenir des contacts ohmiques de très faible résistance spécifique de contact.
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