CNRS/C2N : Lithographie optique 
Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies - Campus de Marcoussis
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Technologies Génériques > Lithographie optique
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LithoUV

Trait horizontal

Puce Présentation

Puce Membres


Trait vertical

Puce Missions et Objectifs

Le C2N campus de Marcoussis met à la disposition de ses personnels une salle de lithographie UV dédiée à la réalisation de motifs en résine microniques à submicroniques (0,7µm). L'équipe responsable de ce service réalise des étapes de lithographie optique, veille à la maintenance des machines, à la formation des utilisateurs sur les équipements en libre-service ou en service restreint, et aux développements des nouveaux procédés de lithographie optique.

Puce Moyens Techniques

MA6BA6 Aligneur SUSS-Microtec Modèle MA6BA6 (large bande 365nm-436nm) MA750 Aligneur SUSS-Microtec Modèle MA750 en UV3 (320nm-365nm) MJB3D Aligneur SUSS Microtec Modèle MJB3 en UV4 (large bande 365nm - 435nm)
MJB3G Aligneur SUSS Microtec Modèle MJB3 en UV3 (310nm-320nm) MJB4 Aligneur SUSS Microtec Modèle MJB4 en UV3 (310nm-320nm) Microscope photonique OLYMPUS BX51 avec contraste interférentiel (microscope olympus BX51)

2 Tournettes RC8

Puce Activités

La lithographie optique représente une étape clé dans la technologie de fabrication de nombreux dispositifs comme les transistors, diodes, Vcsels, photodétecteurs ou rubans laser.

Cette étape (principes illustré ici) permet de définir les zones de masquage pour la réalisation d´implantations ioniques, de gravures ioniques par canon (IBE) ou ioniques réactives (RIE), et de gravures humides. Elle permet aussi d´effectuer localement des dépôts métalliques de contact ou d´interconnexion. Elle constitue encore l´architecture de ponts d´air ou peut simplement servir d’isolant.

L'équipe responsable a mis au point des procédés de masquage standard, et continue à développer des procédés pour les réalisations spécifiques à partir de nouvelles résines positives, négatives ou épaisses (pour la réalisation de motifs à grand facteur d’aspect).

Puce Procédés

De masquage standards

Plots de résine pour gravure sèche (RIE, IBE, RIBE) ou humide (plots de résine; tests gravure 01; tests gravure 02)

Trous dans la résine pour lift-off métallique (trous dans résine; peignes avant métallisation; peignes après lift off)

De masquage spécifiques

Puce Technique bicouche

  • permet de faire des lift-off métalliques quelle que soit la résine utilisée
    bicouche avant depot A bicouche apres lift A
    bicouche après lift-off A bicouche après lift-off A
  • permet de faire des lift-off métalliques quelle que soit la polarité du masque utilisé
  • permet de faire des lift-off métalliques de forte épaisseur avec grande résolution
bicouche B1 bicouche B2 bicouche C bicouche lift off metal epais 1microm B
bicouche B1 bicouche B2 bicouche C bicouche lift off métal épais 1µm B

Puce Technique flancs droits pour gravure sèche

Cette technique de lithographie permet de minimiser le phénomène de transfert de pente de la résine au substrat lors du procédé de gravure sèche. (ruban résine)
Elle est aussi utilisée pour faire de la croissance électrolytique. (ruban flancs droits A; plots flancs droits B)

Puce Technique pont d'air

Cette technique utilisée dans la fabrication des transistors bipolaires à hétérojonction permet de contacter séparément base et émetteur, et base et collecteur. (TBH pont d air)

Puce Quelques réalisations

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Puce Membres

Contacts

 Bardou Nathalie  (+33) 1 69 63 61 43  
 Dupuis Christophe  (+33) 1 69 63 61 42  
 Esnault Jean-Claude  (+33) 1 69 63 60 78  

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