Equipement |
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Présentation :
Ce bâti de dépôt par PECVD RF acquis en 2003
nous permet de réaliser des couches minces (0,01 -2µm) de silice
(SiO2) et de nitrure de silicium (Si3N4).
Il est équipé d'un suivi laser interférométrique in-situ.
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Applications :
Les différents procédés mis au point sont caractérisés par la vitesse de
dépôt du film, son indice optique, sa vitesse de gravure chimique dans
des solutions de référence (HF tamponné), ses caractéristiques électriques
(courant de fuites et tension de claquage). Pour répondre à des applications
spécifiques, la mise au point des procédés s'est concentrée sur deux paramètres
précis :
- la réduction maximale des contraintes dans les couches de silice et de nitrure
de silicium (s < 50MPa),
- la faible teneur en hydrogène des couches de nitrure de silicium.
La température de dépôt est de 280°C.
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Développements en cours :
- Développement de nouveaux procédés : hydrogénation par plasma de structures
semi-conductrices.
- Mise au point de dépôts de a-Si:H pour applications biologiques.
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Présentation :
Le SCM 650 est un bâti de dépôt de films
diélectriques par pulvérisation cathodique radio fréquence magnétron.
il nous permet d'effectuer le dépôt des matériaux SiC, Si3N4,
Al2O3, SiO2, pyrex. Il est également possible
d'effectuer un usinage ionique de la surface de l'échantillon avant dépôt pour
améliorer l'accrochage des couches.
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Applications :
- Dépôt de couches diélectriques à basse température, dépôt localisé de
diélectrique par lift-off.
- Dépôt de couches diélectriques à grande tenue mécanique.
- Membranes ultrafines (50nm d'épaisseur) en SiC, transparentes aux electrons,
usinables par FIB,...
- Cantilevers en SiC à flèche contrôlée.
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Présentation :
Ce bâti permet de déposer des couches minces diélectriques par évaporation sous vide par canon à électrons. Il est équipé d'un canon à ions (Ar, O2), qui permet d'obtenir des couches diélectriques plus denses (Ar) et stoechiométriques (O2) pour les oxydes. Il a été intégré sur ce bâti un ellipsomètre spectroscopique pour le suivi en temps réel des caractéristiques (indice, épaisseur) des multicouches déposées.
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Applications :
- Cette machine est principalement dédiée à l'obtention de multi-couches
anti-reflet et haute réflectivité pour les applications de l'opto-eléctronique.
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Présentation :
Ce bâti développé en interne dans le laboratoire,
permet d'obtenir des couches de SiC par PECVD. Il est historiquement le bâti
qui a été le plus sollicité pour la réalisation de membranes pour la
Lithographie X et encore aujourd'hui pour des applications liées aux
nanotechnologies.
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Applications :
- Masque de gravure et d'implantation.
- Protection par encapsulation pour l'attaque de structure en
chimie corrosive.
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