Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies - Campus de Marcoussis
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Couches minces diélectriques > Equipement
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Equipement

Trait horizontal

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Puce Bâti Unaxis D200

Puce Bâti Alcatel SCM 650

Puce Bâti Plassys MEB 400

Puce Bâti PECVD pour SiC


Puce Groupe TECHNO

Trait vertical

Puce Unaxis D200

ND200 Présentation :

Ce bâti de dépôt par PECVD RF acquis en 2003 nous permet de réaliser des couches minces (0,01 -2µm) de silice (SiO2) et de nitrure de silicium (Si3N4). Il est équipé d'un suivi laser interférométrique in-situ.

Applications :

Les différents procédés mis au point sont caractérisés par la vitesse de dépôt du film, son indice optique, sa vitesse de gravure chimique dans des solutions de référence (HF tamponné), ses caractéristiques électriques (courant de fuites et tension de claquage). Pour répondre à des applications spécifiques, la mise au point des procédés s'est concentrée sur deux paramètres précis :

  • la réduction maximale des contraintes dans les couches de silice et de nitrure de silicium (s < 50MPa),
  • la faible teneur en hydrogène des couches de nitrure de silicium.
La température de dépôt est de 280°C.

Développements en cours :

  • Développement de nouveaux procédés : hydrogénation par plasma de structures semi-conductrices.
  • Mise au point de dépôts de a-Si:H pour applications biologiques.

Puce Plassys MPS800

MPS800 Présentation :

 Le MPS800 est un bâti de dépôt de films diélectriques par pulvérisation cathodique radio fréquence magnétron. Il comporte 6 cibles 6 pouces permettant de déposer des matériaux tels que SiC, Si3N4, TiO2, SiO2, pyrex, ITO. Il est également possible d'effectuer un usinage ionique de la surface de l'échantillon avant dépôt pour améliorer l'accrochage des couches.

Applications :

  • Dépôt de couches diélectriques à basse température, dépôt localisé de diélectrique par lift-off.
  • Dépôt de couches diélectriques à grande tenue mécanique.
  • Membranes ultrafines (50nm d'épaisseur) en SiC, transparentes aux electrons, usinables par FIB,...
  • Cantilevers en SiC à flèche contrôlée.

Puce Plassys MEB 800

MEB800 Présentation :

Ce bâti permet de déposer des couches minces diélectriques par évaporation sous vide par canon à électrons. Il est équipé d'un canon à ions (Ar, O2), qui permet d'obtenir des couches diélectriques plus denses (Ar) et stoechiométriques (O2) pour les oxydes. Il a été intégré sur ce bâti un ellipsomètre spectroscopique pour le suivi en temps réel des caractéristiques (indice, épaisseur) des multicouches déposées.

Applications :

  • Cette machine est principalement dédiée à l'obtention de multi-couches anti-reflet et haute réflectivité pour les applications de l'opto-eléctronique.

Puce Bâti ALD FIJI 200

ALD Fidji Présentation :

Cette machine de dépôt permet de déposer de façon uniforme et conforme sur des structures à haut rapport de forme des couches d'alumine, d'oxyde d'hafnium. D'autres matériaux sont à l'étude. Le principe est d'envoyer de façon séquentielle des précurseurs formant une monocouche à chaque cycle. Le dépôt est lent mais contrôlé à la couche près.

Applications :

  • Dépôts ultrafins, dépôts conformes de couches isolantes.
  • Oxydes minces pour grilles de transistors.

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