Laboratoire de Photonique et de Nanostructures
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Technologie des Semiconducteurs, des Nanostructures et Analyses > Bâtis d'épitaxie du LPN
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Le parc d′équipements d′épitaxie du LPN consiste en 4 bâtis d′épitaxie EJM et 1 bâti de EPVOM :

Puce Bâti EJM RIBER 2300

Riber2300

Présentation :
Cette machine est dédiée à l′épitaxie de GaMnAs pour l′électronique de spin.
Elle est équipée notamment d′une cellule double-filament pour l′évaporation du manganèse. Elle possède en outre des cellules As (craqueur), Ga, Al, In, P, et pour les dopants Be et Si.


Renseignements complémentaires


Puce Bâti EJM RIBER 32

Riber32

Présentation :
Ce bâti est principalement dédié à la croissance des nanofils III-V. Il est équipé d′une source d′or qui sert de catalyseur à la formation des nanofils.
Il est aussi équipé d′une source à plasma d'hydrogène pour la désoxydation et le nettoyage de substrats patternés utilisés pour la croissance de réseaux organisés de nanofils.
Les autres sources sont les suivantes: trois cellules d′éléments III (Al, Ga, In), deux cellules à craqueur pour les éléments V (As et P), deux cellules de dopants (Si et Be).


Renseignements complémentaires


Puce Bâti EJM RIBER Compact 21

Riber32

Présentation :
Ce bâti est dédié à l′épitaxie de structures dont la croissance est bien maîtrisée. Il permet d′obtenir une très bonne uniformité des dépôts sur des substrats de 2 pouces. De nombreuses structures pour les composants sont réalisées dans cette machine. Elle permet d′épitaxier une grande diversité d′alliages sur GaAs, InP ou GaSb puisqu′elle est équipée de 12 sources dont Al, Ga, In, N, P, As et Sb.


Renseignements complémentaires


Puce Bâti EJM GEN II

Couplé à un microscope champ proche en ultravide OMICRON (STM/AFM 1)

GEN II Présentation :

Ce bâti est dédié essentiellement à la croissance de structures pour systèmes de porteurs électroniques d′électrons sur GaAs (001) ou de trous sur GaAs (311), confinés à basse dimensionnalité :

  • 2D dans des hétérostructures GaAs/ AlGaAs

  • entre 2D et 1D avec insertion d′un super-réseau latéral GaAs/InAs dans le canal des hétérostructures épitaxiées sur substrats vicinaux à GaAs (001), 0.5° vers[111]. Période de modulation latérale :32nm.

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Puce Bâti EPVOM TurboDisc D180

Riber32 Présentation :

Le LPN dispose d′un bâti d′épitaxie EPVOM (Epitaxie en Phase Vapeur aux Organométalliques) VEECO TurboDisc D180 vertical à parois froides, pouvant recevoir des substrats de 2 ou 6 pouces. Les croissances sont réalisées à basse pression (70 Torr) sous gaz porteur hydrogène.
Les précurseurs organométalliques sont : triméthylgallium, triméthylindium, triméthylaluminium, diéthylzinc et tétrachlorure de carbone (dopage de type p). Tous ces organométalliques sont conditionnés dans des bulleurs. Une source d'IsoButhylGermane nous permet la croissance de germanium dans ce bâti dédié aux matériaux III-V.
Les précurseurs d′élément V sont la phosphine et l′arsine. Le disilane dilué dans l′hydrogène est utilisé pour le dopage de type n. Le bâti dispose d′un suivi des vitesses de croissance in-situ par réflectométrie en incidence normale.


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