STM-UHV |
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Présentation
Sonder, à l'échelle atomique, les propriétés électroniques de nanostructures est l'un des besoins majeurs pour la nanoélectronique, la spintronique et la physique quantique. Dans une nanostructure, les états électroniques sont déterminés par les effets quantiques de confinement et par la physique de basse dimensionalité. La microscopie à effet tunnel (STM-UHV-BT), basée sur un phénomène quantique, est une sonde locale pour mesurer, avec une résolution spatiale et énergétique, les propriétés statiques électroniques.
Nos axes de recherches sont concentrés sur l'imagerie et la spectroscopie par STM pour des :
- nanostructures semiconductrices ((i) des impuretés individuelles (magnétiques ou non magnétiques) et leurs interactions dans une matrice semiconducteur III-V (semiconducteur magnétique dilué),(ii) des états quantiques d'électrons confinés dans des nanostructures semiconductrices (boites quantiques et nanofils))
- composés organiques de basse dimensionnalité ( des états condensés d'électron pour des systèmes de basse dimensionalité : transition de Peierls, fermions fortement corrélés et transition de phase quantique magnétique).
- oxydes supraconducteurs à haute température critique
Ces thématiques de recherches sont en forte corrélation avec les activités internes « croissance », « théorie et simulations », avec le LPS-Orsay et avec l'Institut Néel-Grenoble.
Le développement de la microscopie à effet tunnel polarisé en spin, soutenu par le « RTRA, Triangle de la physique», vise à la mesure de spin dans des nanostructures semiconductrices magnétiques et des systèmes de basse dimensionalité.
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