Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies - Campus de Marcoussis
Français Anglais
Physique et Technologie des Nanostructures (PHYNANO) > Structure électronique à l'échelle atomique sondée par STM basse température
image 2
image 3
image 6

LT-STM

Trait horizontal

Puce Présentation

Puce Membres

Puce Publications

Puce Contrats et projets

Puce Stages passés et en cours


Puce Groupe PHYNANO

Trait vertical

Action LT-STM

Puce Présentation

The LT-STM action proposes to probe electronic structure of matter at the atomic scale by scanning tunneling microscopy (STM) and spectroscopy (STS) at low temperature and under ultra-high vacuum. See here for a description of our LT-STM equipment.

The aim is to answer fundamental questions that arise when materials shrink down to the nanoscale. The materials studied are semiconductors-based nanostructures or heterostructures, magnetic nanostructures, and materials presenting new interesting electronic properties, as graphene, or new quantum state of matter, as one dimensional nanostructures.

Our axes of research are the following:

relax États confinés dans des nanostructures
dcb Matériaux pour la nanoélectronique (semi-conducteurs, DMS, graphène...)
nanowire Du nanomagnétisme au spin unique - STM polarisé en spin
membrane Nouveaux états quantiques de la matière
Retour sommet page

Puce Membres

Contacts

 Rodary Guillemin  (+33) 1 69 63 61 21  
 Wang Zhao-Zhong  (+33) 1 69 63 61 85  
 Girard Jean-Christophe  (+33) 1 69 63 61 84  

Et aussi...

 David Christophe  (+33) 1 69 63 61 82  

Retour sommet page

Puce Publications

Publications dans des journaux
Retour sommet page

Puce Contrats et projets

    Puce Autres Projets Nationaux

      SUPERTRAMP : Au delà du graphène : Dopage, supraconductivité et transitions de phase en 2D

      Référence de contrat : ANR
      Responsable(s) C2N : Abdelkarim Ouerghi
      Principaux objectifs : Ce projet de recherche s'intéresse à la possibilité d'induire des transitions métal-isolant ou métal-supraconducteur par dopage dans des couches ultrafines- jusqu'à la monocouche atomique- où des instabilités de charge et les singularités électroniques sont souvent exacerbées.Ce projet de recherche s'intéresse à la possibilité d'induire des transitions métal-isolant ou métal-supraconducteur par dopage dans des couches ultrafines- jusqu'à la monocouche atomique- où des instabilités de charge et les singularités électroniques sont souvent exacerbées. (2012-2014)

      MANGAS : Manipulation de l’aimantation dans le composé ferromagnétique GaMnAs

      Référence de contrat : ANR blanc
      Coordinateur, Partenaire(s) : A. Lemaître (LPN ),
      Responsable(s) C2N : Aristide Lemaître
      Principaux objectifs : L’état d’aimantation d’un objet ou d’une particule ferromagnétique est un bit d’information simple et robuste. Il a été utilisé pendant des décennies pour stocker de l’information dans les disques durs. Dans ces composants l’état d’aimantation est contrôlé par l’application d’impulsions de champ magnétiques courtes et localisées. Aller au delà de cette technique, avec des méthodes alternatives, pourrait accroître considérablement les possibilités de stockage et de logique dans des cellules ou circuits magnétiques. Notre projet est au cœur de cette thématique. Nous proposons ici d’étudier plusieurs concepts pour manipuler l’aimantation en utilisant des stimuli non-magnétiques dans un matériau ferromagnétique particulier : le semiconducteur ferromagnétique GaMnAs. Dans ce composé l’origine du ferromagnétisme est singulière, il est lié à la nature composite de ce matériau, à la fois magnétique et semiconducteur. La phase ferromagnétique est induite par le couplage d’échange entre le spin de porteurs et les moments magnétiques du manganèse. Cette propriété donne lieu à un fort couplage entre les propriétés magnétiques et semiconductrices, une opportunité unique pour explorer de nouvelles pistes pour la manipulation de l’aimantation. Dans ce projet, les techniques que nous étudierons sont les manipulations utilisant i) un courant de spin pour le renversement de l’aimantation et le déplacement de parois de domaine, ii) la contrainte, iii) des impulsions lumineuses et iv) des champs électriques. Plusieurs d’entre eux ont déjà été démontrés dans les systèmes métalliques, nous envisageons dans ce cas de mettre en évidence les modifications liées à la nature de ce composé semiconducteur. Cette comparaison apportera un éclairage complémentaire sur les mécanismes réalisant la manipulation de l’aimantation. D’autres, comme la manipulation par un champ électrique, sont spécifiques à ce composé. Nous déterminerons alors la versatilité de ces techniques pour obtenir de larges changements de direction et d’amplitude de l’aimantation. (2010-2013)

    Retour sommet page
Retour sommet page

Puce Stages passés et en cours

Post-doctorat

Thèse

Stage


  • Microscopie et spectroscopie tunnel à basse température de la surface GaAs(110) de type P

  • S. Perraud-(2003-10-01 / 2004-07-05)
    Niveau : Master2
    Contact : Z.-Z. Wang
    Groupe : Physique et Technologie des Nanostructures (PHYNANO)


    En savoir plus

  • Oxydation locale contrôlée par AFM sur GaAs

  • N. Lapierre-(2005-04-01 / 2005-06-30)
    Niveau : DUT
    Contact : Z.-Z. Wang
    Groupe : Physique et Technologie des Nanostructures (PHYNANO)


    En savoir plus
    Récemment nous avons développé une nouvelle technique de nanofabrication par AFM/STM(microscopie à force atomique / microscopie à effet tunnel) : oxydation anodique locale (LAO) sur GaAs. Notre système est placé sous atmosphère contrôlée (humidité contrôlée) dans une boite à gant (condition nécessaire pour contrôler l'oxydation). Dans cette technique la pointe conductrice d'AFM est comme un contact électrique en mouvement qui permet de passer un courant électrique local. Par effet d'oxydation anodique local la surface d'échantillon est modifiée à l'échelle nanométrique. Le stage proposé est dans le but de créer des nanostructures et des barrières de transport des électrons in situ dans un gaz d'électron bi-dimentionnel par AFM/STM. Il s'agit d'étudier les conditions de nanofabrication qui permettent le contrôle de la profondeur d'oxydation dans GaAs. Les structures créées seront étudiées par LT-UHV-STM ou par mesure de propriété de transport. Dans une perspective de nanofabrication ou de nano-modification de structures déjà existantes (quantum point in-plane gates...) cette technique peut être intégrée dans des procédés de nano-fabrications conventionnels (lithographie électronique et optique).
Retour sommet page

Nous contacter         Annuaire         Venir au C2N Marcoussis