Action 2DEG

Présentation

A large number of investigations are made possible thanks to high-mobility two-dimensional electron gases (2 DEGs). The very large mean-free paths of the electrons in these structures makes it possible to study the extremely rich physics when dimensionality, interactions and disorder all play a role. They are also suitable for new electronics using ballistic electron propagation. In the group of PhyNano we develop such two-dimensional electron gases for a wide range of studies, using molecular beam epitaxy (MBE) for GaAs/AlGaAs heterostructures and anataxial growth of graphene (high temperature sublimation of silicon from SiC).

This action has three main parts:

	Elaboration and physics of 2 DEGs
	Étude de la croissance EJM par microscopie à effet tunnel
	Graphitisation de 3C-SiC/Si : Vers La technologie Graphène–Silicium

Membres

Contacts

Ouerghi Abdelkarim	(+33) 1 69 63 61 11
Etienne Bernard	(+33) 1 69 63 61 98
Gennser Ulf	(+33) 1 69 63 61 31

Et aussi...

Cavanna Antonella	(+33) 1 69 63 60 61
Largeau Ludovic	(+33) 1 69 63 61 74
Voisin Paul	(+33) 1 69 63 61 93
Mathieu Claire	(+33) 1 69 63 61 08
Pallecchi Emiliano	(+33) 1 69 63 61 18
Kazazis Dimitris	(+33) 1 69 63 61 16
Ridene Mohamed	(+33) 1 69 63 61 08
Velez Emilio	(+33) 1 69 63 60 86

Publications

• Control of the degree of surface graphitization on 3C-SiC(100)/Si(100) , N. Gogneau, A. Balan, M. Ridene, A. Shukla, A. Ouerghi, Surface Science 606, 217 (2012)
• Graphene growth using propane-hydrogen CVD on 6H-SiC(0001): temperature dependent interface and strain , A. Michon, L. Largeau, O. Mauguin, A. Ouerghi, S. Vézian, D. Lefebvre, E. Roudon, M. Zielinski, T. Chassagne, M. Portail, Phys. Stat. Sol. (c) 9, N°2, 175 (2012)
• Nanostructuring graphene on SiC by focused ion beam: Effect of the ion fluence , B. Prevel, J.-M. Benoît, L. Bardotti, P. Mélinon, A. Ouerghi, D. Lucot, E. Bourhis, J. Gierak, Appl. Phys. Lett. 99, 083116 (2011)
• Photoreflectance study of InAs ultrathin layer embedded in Si-delta-doped GaAs/AlGaAs quantum wells , I. Dhifallah, M. Daoudi, A. Bardaoui, B. Eljani, A. Ouerghi, R. Chtourou, J. Lumin. 131, 1007 (2011)
• Silicon doping effects on optical properties of InAs ultrathin layer embedded in GaAs/AlGaAs:δSi high electron mobility transistors structures , I. Dhifallah, M. Daoudi, A. Ouerghi, M. Oueslati, R. Chtourou, Superlatt. Microstruct. 49, 519 (2011)
• Sharp interface in epitaxial graphene layers on 3C-SiC(100)/Si(100) wafers , A. Ouerghi, M. Ridene, A. Balan, R. Belkhou, A. Barbier, N. Gogneau, M. Portail, A. Michon, S. Latil, P. Jegou, A. Shukla, Phys. Rev. B 83, 205429 (2011)
• Prototyping of microfluidic systems using a commercial thermoplastic elastomer , Roy, M Geissler, J.-C. Galas, T Veres, Lab Chip , 1613 (2011)
• Atomic structure of the (3 × 2) Si–GaAs (0 0 1) reconstructed surface: A clue to delta doping mechanism derived from in situ grazing incidence X-ray diffraction data , M. Sauvage-Simkin, R. Pinchaux, A. Coati, A. Ouerghi, Y. Garreau, B. Etienne, Surface Science 604, 415 (2010)
• Epitaxial graphene on cubic SiC(111)/Si(111) substrate , A. Ouerghi, A. Kahouli, D. Lucot, M. Portail, L. Travers, J. Gierak, J. Peneluas, P. Jegou, A. Shukla, T. Chassagne, M. Zielinski, Appl. Phys. Lett. 96, 191910 (2010)
• Energy Relaxation in the Integer Quantum Hall Regime , H. Le Sueur, C. Altimiras, U. Gennser, A. Cavanna, D. Mailly, F. Pierre, Phys. Rev. Lett. 105, 056803 (2010)
• Non-equilibrium edge-channel spectroscopy in the integer quantum Hall regime , C. Altimiras, H. Le Sueur, U. Gennser, A. Cavanna, D. Mailly, F. Pierre, Nat. Phys. 6, 34 (2010)
• Intersubband electroluminescent devices operating in the strong-coupling regime , P. Jouy, A. Vasanelli, Y. Todorov, L. Sapienza, R. Colombelli, U. Gennser, C. Sirtori, Phys. Rev. B 82, 045322 (2010)
• Direct growth of few-layer graphene on 6H-SiC and 3C-SiC/Si via propane chemical vapor deposition , A. Michon, S. Vézian, A. Ouerghi, M. Zielinski, T. Chassagne, M. Portail, Appl. Phys. Lett. 97, 171909 (2010)
• Structural coherency of epitaxial graphene on 3C–SiC(111) epilayers on Si(111) , A. Ouerghi, R. Belkhou, M. Marangolo, M. G. Silly, S. El Moussaoui, M. Eddrief, L. Largeau, M. Portail, F. Sirotti, Appl. Phys. Lett. 97, 161905 (2010)
• Epitaxial graphene on 3C-SiC(111) pseudosubstrate: Structural and electronic properties , A. Ouerghi, M. Marangolo, R. Belkhou, S. El Moussaoui, M. G. Silly, M. Eddrief, L. Largeau, M. Portail, B. Fain, F. Sirotti, Phys. Rev. B 82, 125445 (2010)
• Slow light modes for optical delay lines implementation: 2D Photonic Crystal-based structures, performances and challenges , A. Talneau, J. Opt. 12, 104005 (2010)
• A reproducible process for mesoscopic superconducting indium contacts to GaAs/AlGaAs heterostructures , S. Boulay, J. Dufouleur, P. Roche, U. Gennser, A. Cavanna, D. Mailly, J. Appl. Phys. 105, 123919 (2009)
• Tuning Decoherence with a Voltage Probe , P. Roulleau, F. Portier, P. Roche, A. Cavanna, G. Faini, U. Gennser, D. Mailly, Phys. Rev. Lett. 102, 236802 (2009)
• Spin filtering through a single impurity in a GaAs/AlAs/GaAs resonant tunneling device , B. Jouault, M. Gryglas, M. Baj, A. Cavanna, U. Gennser, G. Faini, D.K. Maude, Phys. Rev. B 79, 041307 (2009)
• Interplay among spin, orbital effects, and localization in a GaAs two-dimensional electron gas in a strong in-plane magnetic field , B. A. Piot, D.K. Maude, U. Gennser, A. Cavanna, D. Mailly, Phys. Rev. B 80, 115337 (2009)
• Large scale atomic ordering in uncovered GaAs(001) after InAs monolayer capping : atomic structure of the (12x6) reconstruction , A. Ouerghi, A. Cavanna, D. Martrou, B. Etienne, Surface Science 602, 1631 (2008)
• Direct Measurement of the Coherence Length of Edge States in the Integer Quantum Hall Regime , P. Roulleau, F. Portier, P. Roche, A. Cavanna, G. Faini, U. Gennser, D. Mailly, Phys. Rev. Lett. 100, 126802 (2008)
• Noise Dephasing in Edge States of the Integer Quantum Hall Regime , P. Roulleau, F. Portier, P. Roche, A. Cavanna, G. Faini, U. Gennser, D. Mailly, Phys. Rev. Lett. 101, 186803 (2008)
• Waveguiding in nanoscale metallic apertures , S. Collin, F. Pardo, J.-L. Pelouard, Optics Express 15, 4310 (2007)
• Relaxation time of a chiral R-L circuit , J. Gabelli, G. Fève, T. Kontos, J.-M. Berroir, B. Plaçais, D. C. Glattli, B. Etienne, Y. Jin, M. Büttiker, Phys. Rev. Lett. 98, 166806 (2007)
• An On-Demand Single-Electron Source , G. Fève, A. Mahé, J.-M. Berroir, T. Kontos, B. Plaçais, D. C. Glattli, A. Cavanna, B. Etienne, Y. Jin, Science 316, 1169 (2007)
• Magnetic-field asymmetry of mesoscopic dc rectification in Aharonov-Bohm rings , L. Angers, E. Zakka-bajjani, R. Deblock, S. Gueron, H. Bouchiat, A. Cavanna, U. Gennser, M. Polianski, Phys. Rev. B 75, 115309 (2007)
• Influence of the single-particle Zeeman energy on the quantum Hall ferromagnet at high filling factors , B. A. Piot, D.K. Maude, M. Henini, Z. R. Wasilewski, J. A. Gupta, K. J. Friedland, R. Hey, K. H. Ploog, U. Gennser, D. Mailly, R. Airey, G. Hill, Phys. Rev. B 75, 155332 (2007)
• Use of a quantum-point contact high-electron-mobility transistors for time domain multiplexing of large arrays of high impedance low temperature bolometers , S.J.C. Yates, A. Benoît, E. Grémion, C. Ulysse, P. Camus, A. Cavanna, T. Durand, B. Etienne, U. Gennser, C. Hoffmann, J. L. Leclerc, Y. Jin, Rev. Sci. Instr. 78, 035104 (2007)
• Single impurity tunneling spectroscopy to probe the discrete states of a two-dimensional electron gas in a quantizing magnetic field , B. Jouault, M. Gryglas, G. Faini, U. Gennser, A. Cavanna, M. Baj, D.K. Maude, Phys. Rev. B 73, 155415 (2006)
• Violation of Kirchhoff\'s laws for a coherent RC circuit , J. Gabelli, G. Fève, J.-M. Berroir, B. Plaçais, A. Cavanna, B. Etienne, Y. Jin, C. Glattli, Science 313, 499 (2006)
• Ultraslow light propagation in an inhomogeneously broadened rare-earth ion-doped crystal [PDF] , E. Baldit, K. Bencheikh, P. Monnier, J. A. Levenson, V. Rouget, Phys. Rev. Lett. 95, 143601 (2005)
• Unreconstructed As atoms mixed with (3x2) cells and (6x6) supercells in low As pressure epitaxy on GaAs (001) , D. Martrou, A. Cavanna, F. Natali, U. Gennser, B. Etienne, Phys. Rev. B R, 241307 (2005)
• Edge states interferometer: an electronic Fabry-Perot , B. Chenaud, C. Chaubet, B. Jouault, L. Saminadayar, D. Mailly, G. Faini, A. Cavanna, Physica B 346-347, 488 (2004)
• Detection of electron scattering in an isolated double quantum dot system , C. G. Smith, S. Gardelis, J. Cooper, D. A. Ritchie, E. H. Lindield, Y. Jin, H. Launois, Physica E 12, 830 (2002)
• Super poissonian noise in the FQHE regime , V. Rodriguez, P. Roche, Y. Jin, B. Etienne, Physica E 12, 88 (2002)
• La transition métal-isolant en dimension deux , U. Gennser, D. L'Hotte, D. LHotte, J. L. Pichard, Images de la Physique , 13 (2002)
• Analysis of the resistance of two-dimensional holes in SiGe over a wide temperature range , V. Senz, T. Ihn, T. Heinzel, K. Ensslin, G. Dehlinger, D. Grützmacher, U. Gennser, E. H. Hwang, S. das Sarma, Physica E 13, 723 (2002)
• Hot hole effects in a dilute two-dimensional gas in SiGe , R. Leturcq, D. L'Hote, R. Tourbot, V. Senz, T. Ihn, K. Ensslin, G. Dehlinger, U. Gennser, D. Grutzmacher, Europhys. Lett. 61, 499 (2002)
• Persistent currents in mesoscopic connected rings , W. Rabaud, L. Saminadayar, D. Mailly, K. Hasselbach, A. Benoît, B. Etienne, Phys. Rev. Lett. 86, 3124 (2001)
• Single-hole transistor in a p-Si/SiGe quantum well , U. Dötsch, U. Gennser, C. David, G. Dehlinger, D. Grützmacher, T. Heinzel, S. Lüscher, K. Ensslin, Appl. Phys. Lett. 78, 341 (2001)
• Nano-fabrication with focused ion beams , J. Gierak, D. Mailly, G. Faini, J.-L. Pelouard, P. Denk, F. Pardo, J.-Y. Marzin, A. Septier, G. Schmid, J. Ferré, R. Hydman, C. Chappert, J. Flicstein, B. Gayral, J. M. Gérard, Microelectron. Eng. 57-58, 865 (2001)
• Temperature-dependent resistivity anomaly in doped AlAs/GaAs lateral superlattices: Evidence for Fermi-liquid behavior [PDF] , P. Denk, J.-L. Pelouard, Phys. Rev. B 63, 0 (2001)
• Resonant tunneling spectroscopy of the local density of states in a disordered conductor , A. K. Savchenko, J. P. Holder, V. I. Fal'ko, B. Jouault, G. Faini, F. Laruelle, E. Bedel, Phys. Stat. Sol. (b) 218, 0 (2000)
• Enhanced fluctuations os f the tunnelling density of states near bottoms of Landau bands measured by a local spectrometer , J. P. Holder, A. K. Savchenko, V. I. Fal'ko, B. Jouault, G. Faini, F. Laruelle, Phys. Rev. Lett. 84, 1563 (2000)
• Theoretical and experimental studies of magneto-tunnelling in quantum dots , M. Boero, G. Faini, B. Jouault, J. P. Holder, F. Laruelle, J. C. Inkson, A. K. Savchenko, J. Low Temp. Phys. 118, 427 (2000)
• Shot noise and the Luttinger liquid-like properties of the FQHE , D. C. Glattli, V. Rodriguez, H. Perrin, P. Roche, Y. Jin, B. Etienne, Physica E 6, 22 (2000)
• Direct observation of single-electron decay FROM an artificial nucleus , J. Cooper, C. G. Smith, D. A. Ritchie, E. H. Lindield, Y. Jin, H. Launois, Physica E 6, 457 (2000)
• Tuning of surface boundary conditions for the 3D simulation on gated heterostructures , M. Macucci, G. Iannaccone, E. Amirante, Y. Jin, H. Launois, C. Vieu, Superlatt. Microstruct. 27, 369 (2000)
• Reduction of shot-noise in quantum conductors , L. Saminadayar, A. Kumar, D. C. Glattli, Y. Jin, B. Etienne, J. Phys. IV 9, 23 (1999)
• Magnetic field effects on the fluctuations of the local density of electron states in a disordered metal , A. K. Savchenko, J. P. Holder, V. I. Fal'ko, B. Jouault, G. Faini, F. Laruelle, E. Bedel, Ann. Phys. 8, 233 (1999)
• Collective excitations of electron disks in laterally patterned Si/SiGe modulation-doped heterojunctions , S. Zanier, Y. Guldner, J.-M. Berroir, J.-P. Vieren, G. Faini, E. Cambril, L. Garchery, Y. Campidelli, I. Sagnes, Thin Solid Films 294, 315 (1997)
• Shape-averaged weak localisation in chaotic and integrable ballistic cavities , Y. Lee, G. Faini, D. Mailly, Chaos, Solitons & Fractals 8, 1325 (1997)
• Detection of the oscillation of the Fermi energy of a 2DEG , D. R. Mace, C. H. W. Barnes, M. Y. Simmons, M. Pepper, C. J. B. Ford, G. Faini, D. Mailly, Surface Science 361-362, 608 (1996)

Contrats et projets

ANR non thématiques

SUPERTRAMP : Au delà du graphène : Dopage, supraconductivité et transitions de phase en 2D

Référence de contrat : ANR BLANC
Responsable(s) LPN : Abdelkarim Ouerghi
Principaux objectifs : Ce projet de recherche s'intéresse à la possibilité d'induire des transitions métal-isolant ou métal-supraconducteur par dopage dans des couches ultrafines- jusqu'à la monocouche atomique- où des instabilités de charge et les singularités électroniques sont souvent exacerbées.Ce projet de recherche s'intéresse à la possibilité d'induire des transitions métal-isolant ou métal-supraconducteur par dopage dans des couches ultrafines- jusqu'à la monocouche atomique- où des instabilités de charge et les singularités électroniques sont souvent exacerbées. (2011-2014)

Migraquel : Electronique Quantique Microonde au Graphène

Référence de contrat : ANR BLANC
Responsable(s) LPN : Abdelkarim Ouerghi
Principaux objectifs : Ce projet de recherche fondamentale s'intéresse aux propriétés dynamiques des fermions de Dirac dans le graphène qui est le matériau semi-métallique modèle pour cette physique. Le but du projet est d'exploiter ces propriétés pour réaliser des dispositifs d'électronique quantique novateurs centrés autour d'une architecture de type transistor. (2010-2013)

Quantherm : Mesure de signatures thermiques de cohérence quantique

Référence de contrat : ANR blanc 2008
Responsable(s) LPN : Ulf Gennser
Principaux objectifs : L’objectif de ce projet est la mise en évidence expérimentale des modifications des propriétés thermiques de nano-objets annulaires mésoscopiques (métalliques et semiconducteurs (III-V)) en présence de cohérence de phase électronique. L’expérience centrale que nous souhaitons réaliser est la mesure de variations de la chaleur spécifique en fonction du flux magnétique sur deux systèmes complémentaires : des anneaux d’argent et des gaz d’électrons bidimensionnel en GaAs/AlGaAs. (2008-2011)




ANR PNANO

THINQE_PINQE : Emetteurs quantiques THz sans inversion de population basés sur les polaritons intersousbandes

Référence de contrat : ANR PNANO 2009
Responsable(s) LPN : Ulf Gennser
Principaux objectifs : : The general context of the project is the tailoring of the light-matter interaction in semiconductor structures for the realization of efficient mid-infrared and THz optoelectronic emitters. The basic idea of the project is to implement novel optoelectronic emitters operating in the strong coupling regime between an intersubband excitation of a two-dimensional electron gas and a microcavity photon mode. The devices that will be designed, realized and characterized in this project will take advantage of the fundamental properties of intersubband polaritons. The modification of the characteristic time for the light-matter interaction in the strong coupling regime will allow us to increase the quantum efficiency of THz light emitting devices. The second property that we will exploit is the fact that, under certain conditions, intersubband polaritons have a bosonic character; as a consequence they can undergo stimulated scattering. We propose to use this property to realize mid-infrared and THz lasers, working without population inversion. Finally, the dispersion of THz intersubband polaritons will allow us to obtain emitters at frequencies lower than 1 THz, approaching the microwave range. (2009-2011)




Projets Incitatifs du Ministère de la Recherche

NanoHall : Fabrication, étude et validation de capteurs de Hall submicroniques faible bruit

Référence de contrat : ACN
Coordinateur, Partenaire(s) : C. Chaubet (Université De Technologie De Troyes ), C. Chaubet (GES)
Responsable(s) LPN : Dominique Mailly, Ulf Gennser, Giancarlo Faini
Principaux objectifs : Ce projet vise à la mise au point d'une famille de capteurs magnétiques à effet Hall basés sur des hétérostructures à puits quantiques (2004-2007)

Stages passés et en cours

Post-doctorat

• Developing semiconductor nanostructures for electrical transport

-(En cours depuis 2009-09-28)
Thème : Nanostructures, gaz d'électron et électronique de spin (NGES)
Contact : U. Gennser
Groupe : Physique et Technologie des Nanostructures (PHYNANO)
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