Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies - Campus de Marcoussis
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Optic of Semiconductor nanoStructures Group LPN) > Photonic crystals, Nanostructuration for Integrated Optics
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CPOI

Trait horizontal

Puce Présentation

Puce Membres

Puce Propositions de stages

Puce Brevets

Puce Publications

Puce Contrats et projets

Puce Stages passés et en cours


Puce Groupe GOSS

Trait vertical

Puce Présentation

La propagation dans un guide peut être façonnée par une nanostructuration du matériau à l'échelle de la longueur d'onde, ou plus généralement par nanostructuration de la constante diélectrique.

Nous exploitons ce concept au sein de structures à cristaux photoniques pour une ingénierie de la dispersion des modes guidés, et en particulier l'obtention de modes à faible vitesse de groupe, -- on parle de lumière lente --.

Nous étudions aussi plusieurs avantages qu'apporte une nanostructuration dans les dispositifs optiques hybrides émetteurs/amplificateurs de lumière à 1.55 μm, à base de matériaux semi-conducteurs et intégrés sur silicium.

Les origines technologiques des imperfections de fabrication à l'échelle du nanomètre qui interviennent au cours des procédés de réalisation des dispositifs, sont analysées notamment à l'aide de leur impact sur les propriétés optiques cohérentes et incohérentes.

AutoOrg Tailoring the dispersion of optical guided modes
AutoOrg Hybrid integration of Photonic devices on Si through heteroepitaxial bonding
AutoOrg Nanostructuration for resonant and diffractive gratings with extended acceptance
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Puce Membres

Contacts

 Talneau Anne  (+33) 1 69 63 61 46  

Et aussi...

 Aubin Guy  (+33) 1 69 63 61 51  
 Pantzas Konstantinos  (+33) 1 69 63 60 54  
 Patriarche Gilles  (+33) 1 69 63 61 73  
 Sagnes Isabelle  (+33) 1 69 63 61 71  

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Puce Propositions de stages

Thèse


  • Compréhension, caractérisation de la conduction électrique à l’interface hybride III-V sur Silicium, Dispositifs photoniques hybrides fonctionnant sous injection électrique à travers l’interface

  • Contact : A. Talneau
    Groupe : Groupe d'Optique des Structures Semi-conductrices (GOSS)


    En savoir plus
    Contexte :
    Alors que l’intégration hybride des matériaux semi-conducteurs III-V sur Si est maintenant correctement maîtrisée tant du point de vue structurale que photonique, la possibilité de l’intégration électrique et électronique reste très peu explorée [K.Tanabe, Scient.Rep. 2, 349(2012)]. Cette nouvelle fonctionnalité peut fortement améliorer les performances des dispositifs photoniques en terme de consommation, budget thermique, et haut débit lorsqu’on intègre l’électronique de commande. La maîtrise de cette fonctionnalité de l’interface hybride ouvre la voie à l’exploitation dans sa totalité des potentialités de l’intégration 3D.
    Le LPN a développé le collage hétéroépitaxial ou oxide-free des matériaux III-V sur Si [1] et a montré récemment que un tel interface a de bonnes propriétés de conduction électrique [2]. Le LPN dispose des outils de technologie et de caractérisation pour la réalisation des interfaces hybrides et des dispositifs photoniques comportant cet interface. Le groupe de P.Dollfus à IEF a l’expertise de la simulation du comportement électrique de l’interface. L’IEF et le LPN vont conjointement créer en Janvier 2016 le Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies.
    Méthode :
    Dans le cadre de cette thèse de doctorat, nous proposons d’élaborer des interfaces hybrides III-V sur Si par collage, puis comprendre et quantifier le transport électrique à ces interfaces, pour plusieurs matériaux III-Vet selon le dopage. Cette étude du transport se fera d’abord par simulation puis par caractérisation expérimentale des interfaces réalisés. Enfin, un dispositif photonique de type laser sera fabriqué, il exploitera le passage du courant à travers l’interface hybride en plaçant un de ses contacts sur la couche guidante Si, de façon à améliorer son comportement thermique, ce qui pénalise encore fortement les dispositifs hybrides actuels.
    Objectifs :
    L'objectif principal de ce travail de thèse est de démontrer le fonctionnement d'un laser hybride III-V/Si émettant à 1,55 µm, sous injection électrique à travers l'interface hybride.
    Dans ce but, ce travail de thèse sera impliqué dans :
    • L'élaboration par collage et la caractérisation des interfaces hybrides III-V sur Si permettant la conduction électrique;
    • La simulation et la caractérisation du comportement électrique de l’interface;
    • La conception, la fabrication d'un laser hybride injecté électriquement à travers l’interface, en particulier la caractérisation de son comportement thermique.

    A l’issue de la thèse, le candidat aura acquis une expertise en optoélectronique couvrant les deux domaines de l’électrique et de la photonique, dans le domaine des dispositifs émetteurs de lumière leur conception et leur caractérisation, et aussi une expertise en nanotechnologie, couvrant la connaissance des matériaux semi-conducteurs et leur structuration.

    [1] A. Talneau et al., Appl. Phys. Lett. 102, 212101 (2013)
    [2] K.Pantzas et al., IPRM (2014)
    Also
    K.Tanabe, S.Iwamoto and Y.Arakawa, IEICE Elec.Ex., 8, 596 (2011)
    K.Tanabe, K.Watanabe and Y.Arakawa, Scient.Rep. 2, 349 (2012)

    Le soutien financier est une allocation doctorale de EDOM.
    Egalement sur ADUM.fr

    Informations complémentaires : contact : Anne TALNEAU
    e-mail :

Stage


  • Nanostructured optical waveguide array for hybrid isolator on silicon

  • Niveau : Master2
    Contact : A. Talneau , G. Patriarche
    Groupe : Groupe d'Optique des Structures Semi-conductrices (GOSS)
                Elaboration et Physique des Structures Epitaxiées (ELPHYSE)


    En savoir plus
    Silicon will be the future of integrated photonics. Garnet should be associated to Si to provide integrated optical isolation. C2N has developed an oxide-free bonding technique [1] of both materials that enables preserving any structuration included in the silicon waveguide. Such a nanostructuration is a very versatile tool for designing tailored structures dedicated to advanced optical functions [2].
    The internship aims at studying specific design for optical isolators [3]. LUMERICAL commercial simulation tool will be used to fix the geometrical parameters of the waveguide array. C2N Marcoussis has large clean room facilities where devices will be fabricated, first on SOI to validate the design, and later on hybrid garnet/Si to demonstrate the isolation operation. Measurements will be performed on an end-fire set-up.
    This internship is undertaken in the framework of the ANR ISOLYIG project.
    The student may acquire knowledge in device simulation, clean-room nano-fabrication techniques and experimental optical characterization.

    [1] K.Pantzas et al., Appl. Phys. Lett.,105,141601 (2014)
    [2] A.Talneau et al., Opt. Lett., 40,5148 (2015)
    [3] R.El-Ganainy et al., Appl. Phys. Lett. 103,161105 (2013)
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Puce Brevets

  • Structure à cristal photonique pour la conversion de mode, A. Talneau, P. Lalanne, FR 0115057, (2001-01-01)
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Puce Publications

Publications dans des journaux
Publications dans des livres
  • Les Cristaux photoniques bidimensionnels en optique integre planaire , A. Talneau, La nanophotonique , (2005)
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Puce Contrats et projets

    Puce Réseaux Internationaux

      EPIXnet : European Network of Excellence on Photonic Integrated Components and Circuits

      Référence de contrat : Program: FP6 - IST-2002-2.3.2.2 Optical, opto-electronic, & photonic functional components Network of Excellence
      Responsable(s) C2N : Anthony Martinez, Abderrahim Ramdane, Anne Talneau
      Principaux objectifs : Structuring the photonic integration research community, and stimulate new opportunities for photonic integration in a wide range of application domains. (2004-2008)

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    Puce ANR PNANO

      SURMITO : SUper-Résolution par MIcroscopie Tomographique Optique

      Référence de contrat : ANR-12_BS03 006 04
      Principaux objectifs : Développer et étudier un système d’imagerie optique tirant profit de la diffusion multiple, et obtenir des images quantitatives tridimensionnelles présentant des résolutions nanométriques bien meilleures que celles des microscopes optiques actuels. (2012-2016)

      COHEDIO : Heteroepitaxial bonding for hybrid integration of nanostructured optical devices

      Référence de contrat : ANR-2011-NANO-024-01
      Coordinateur, Partenaire(s) : A. Talneau (LPN ), E. Le Bourhis (Institut Pprime), A. Lupu (IEF ), H. Benisty (INST OPTIQUE), G.-H. Duan (III-V Lab)
      Principaux objectifs : During 3 years (01/2012-12/2014), the COHEDIO project will develop heteroepitaxial bonding of III-V semiconductor materials on Si and also of garnet on Si. COHEDIO will also propose innovative design for integrated guiding structures and fabricate hybrid photonic devices on Si. (2012-2014)

      SOURIS : Sonde Optique Ultra-Résolue pour l’Imagerie de Surface

      Référence de contrat : ANR-08_NANO_P053-36
      Coordinateur, Partenaire(s) : A. Sentenac (Fresnel )
      Responsable(s) C2N : Anne Talneau
      Principaux objectifs : développer un système d’imagerie optique simple offrant une résolution inférieure à 100 nm et particulièrement adapté à l’étude de la dynamique membranaire des cellules vivantes (2008-2011)

      L2CP : Lumière lente dans les guides en cristaux photoniques

      Référence de contrat : ANR PNANO
      Coordinateur, Partenaire(s) : S. Combrie (TRT ), Y. Gottesman (INST MINES-TELECOM)
      Responsable(s) C2N : Anne Talneau
      Principaux objectifs : Etude et réalisation d'une ligne à retard accordable sur guide à cristaux photoniques (2007-2009)

      FOREAC : Filtres optiques à réseaux accordables

      Référence de contrat : ANR PNANO
      Responsable(s) C2N : Anne Talneau
      Principaux objectifs : Démontrer le potentiel des structures associant des multicouches et des cristaux photoniques pour le filtrage optique en espace libre. (2005-2008)

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    Puce Projets des Réseaux Nationaux

      CRISTEL : CRIStaux photoniques pour la réalisation d'une source d'Emission Laser à longueur d'onde sélectionnable

      Référence de contrat : RNRT
      Coordinateur, Partenaire(s) : G.-H. Duan (III-V Lab)
      Responsable(s) C2N : Anne Talneau
      Principaux objectifs : Réalisation d'une source laser multi-l entièrement à base de cristaux photoniques: barrettes de lasers CP, et multiplexeur de type super-prisme (2002-2005)

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    Puce Projets Incitatifs du Ministère de la Recherche

      ARCHIDEL : Sources solides à très haut rendement : réalisation de nouveaux cristaux photoniques pour l'extraction omnidirectionnelle des modes guidés

      Référence de contrat : ACI
      Coordinateur, Partenaire(s) : H. Benisty (INST OPTIQUE)
      Responsable(s) C2N : Anne Talneau
      Principaux objectifs : Démontrer l'amélioration du rendement d'extraction de LED à l'aide de structures à cristaux photoniques (2002-2005)

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Puce Stages passés et en cours

Post-doctorat


  • Filtres optiques à cristaux photoniques

  • O. Boyko-(2006-11-01 / 2008-04-30)
    Contact : A. Talneau
    Groupe : Groupe d'Optique des Structures Semi-conductrices (GOSS)


    En savoir plus
    Le projet FOREAC veut démontrer la faisabilité de filtres optiques travaillant à 1.55µm en espace libre et en incidence oblique, étroits spectralement (0.1nm) et insensibles à la polarisation. De tels filtres sont basés sur le principe du réseau résonnant, le réseau est ici un cristal photonique bidimensionnel. Le travail du post-doctorant concerne la partie fabrication du cristal photonique (lithographie électronique, gravure au LPN) et la caractérisation des filtres à l’Institut Fresnel, à Marseille. Le (la) candidat(e) doit avoir une solide expertise en optique, et un intérêt pour la réalisation technologique.

  • Diodes électroluminescentes à cristaux photoniques

  • J. Danglot-(2004-10-15 / 2006-02-28)
    Contact : A. Talneau
    Groupe : Groupe d'Optique des Structures Semi-conductrices (GOSS)


    En savoir plus

  • Laser à cristaux photoniques

  • L. Prkna-(2004-12-02 / 2005-12-01)
    Contact : A. Talneau
    Groupe : Groupe d'Optique des Structures Semi-conductrices (GOSS)


    En savoir plus
    Laser à cristaux photoniques

Thèse


  • Dispositifs photoniques hybrides sur Silicium comportant des guides nanostructurés : conception, fabrication et caractérisation

  • A. Itawi-(2011-10-01 / 2014-11-26)
    Contact : A. Talneau , I. Sagnes , G. Patriarche
    Groupe : Groupe d'Optique des Structures Semi-conductrices (GOSS)
                Elaboration et Physique des Structures Epitaxiées (ELPHYSE)


    En savoir plus
    Le futur de l’optique intégrée passe par l’intégration sur Silicium, pas seulement comme plate-forme d’intégration où les différents composants individuels sont reportés, mais aussi pour mettre à profit les très bonnes performances des guides en silicium sur SiO2 – SoI – aux longueurs d’onde télécom. Les modes supportés par ces guides de fort indice, très confinés, conduisent à des architectures de circuits intégrés photoniques –CIP– ultra compactes. Mais le silicium ne peut pas assurer toutes les fonctions optiques. Pour l’émission, l’amplification ou l’isolation optique, il faut utiliser d’autres matériaux : les semi-conducteurs III-V à base de Phosphure d’Indium qui présentent de très bonnes propriétés d’émission/amplification dans le domaine spectral 1.55µm ou les grenats Yttrium-Fer (YIG) qui présentent un fort pouvoir de rotation de la polarisation. En associant par collage hétéroépitaxial ces matériaux sur du Silicium, on peut définir une structure guidante qui tire avantage simultanément des performances des deux matériaux. Dans le cadre de cette thèse de doctorat, nous proposons d’étudier la conception et la fabrication de dispositifs intégrés hybrides sur Si assurant ces fonctions optiques. Dans ces dispositifs, deux éléments sont fondamentaux: l’un est l’interface, l’autre est le guide optique. Le LPN vient de s’équiper pour développer le collage hétéroépitaxial de ces matériaux, cette technique innovante ne fait intervenir aucune couche intermédiaire et préserve ainsi toute nanostructuration que l’on aura réalisée sur une des surfaces à coller. Le guide optique est un guide double-coeur, le mode optique se localisant dans le guide silicium et dans le matériau collé. Le dessin de ce guide avec sa structuration est déterminant pour obtenir la fonction optique voulue. Nous étudierons un laser monofréquence, un amplificateur optique et un isolateur optique. Le laser et l’amplificateur fonctionneront en injection électrique. Le laser de type DFB aura un guide nanostructuré fournissant le feedback nécessaire à l’oscillation monofréquence, l’amplificateur devra avoir un guide large et néanmoins monomode, ainsi que des terminaisons de la section III-V non réfléchissantes. L’isolateur optique sera basé sur une géométrie de type interféromètre de Mach Zehnder[1]. Dans tous les cas, le guide devra assurer un bon transfert thermique ; la combinaison optimale de cette fonctionnalité avec une fonction optique constitue un domaine inexploré. Le candidat contribuera à l’étude du collage hétéroépitaxial, l’essentiel du travail portant sur la conception des guides optiques remplissant les fonctions citées. Les mécanismes optiques spécifiques qu’apportent une nanostructuration seront mis à profit : par exemple des guides supportant des modes résonants de type ARROW, des guides en cristaux photoniques, des réflecteurs en cristaux photoniques. Une conception pertinente du guide optique demande de connaître l’interface hybride, donc de s’impliquer dans l’étude du collage. Le candidat contribuera directement à la réalisation technologique des dispositifs. Les résultats obtenus sur ces dispositifs conduiront à cerner les performances des circuits intégrés photoniques (CIP), en s’attachant à définir des facteurs de mérite. Les CIP sont appelés par exemple à servir aux extrémités des câbles optiques qui vont se banaliser du fait de la pénétration des débits de la HDTV dans l’appareillage grand public (quelques Gb/s sur > 10m). Le Laboratoire a une expérience reconnue sur le collage hétéroépitaxial [2] ; par ailleurs il dispose des outils de simulation nécessaire à la définition du guide, et a déjà obtenu des résultats sur l’injection électrique dans les lasers III-V à cristaux photoniques [3]. Les principaux objectifs du projet de thèse sont résumés ici, par ordre chronologique, le cœur étant les points 2-3-4: 1-Contribuer à l’étude du collage hétéroépitaxial de matériaux III-V et de matériaux magnéto-optiques sur silicium 2-Concevoir le guide optique d’un laser DFB intégré, d’un amplificateur intégré et d’un isolateur optique intégré. Ce guide comportera une nanostructuration lui permettant de remplir la fonction optique et les performances attendues, ainsi que de démontrer un bon comportement thermique. 3-Fabriquer ces dispositifs, le laser et l’amplificateur fonctionnant en injection électrique. 4-Caractériser ces dispositifs. 5-Connaissant les contraintes de fabrication et les performances ultimes accessibles comme conséquence du design du guide, établir des schémas de circuits intégrés photoniques hybrides pour les applications télécoms. [1] Mizumoto et al. CThC1, CLEO/QELS 2008 [2] G.Patriarche et al., J. Appl. Phys. 82,4892 [3] A.Talneau et al., Appl. Phys. Lett., 85, 1913

  • Etude des lasers à cristaux photoniques

  • K.-H. Lee-(2004-10-01 / 2007-09-30)
    Contact : A. Talneau
    Groupe : Groupe d'Optique des Structures Semi-conductrices (GOSS)


    En savoir plus

Stage


  • Electrical and thermal behaviour of III-V on Si hybrid interfaces and devices

  • M. Valdivia-(En cours depuis 2016-12-01)
    Niveau : Master2
    Contact : A. Talneau , G. Patriarche
    Groupe : Groupe d'Optique des Structures Semi-conductrices (GOSS)
                Elaboration et Physique des Structures Epitaxiées (ELPHYSE)


    En savoir plus
    Silicon will be the future of integrated photonics. III-V materials should be associated to Si to provide efficient emission or amplification in the 1.55µm Telecom domain as well as low-cost light-weight photovoltaic devices. C2N has developed an oxide-free bonding technique of both materials that demonstrates electrical conduction at the interface [1-2].
    The internship aims at studying the electrical and thermal behaviour of the hybrid interface according to the bonding conditions and the doping of the bonded materials and to operate it in actual devices.LUMERICAL commercial simulation tool will be used to investigate the electrical and thermal behaviour according to the material and geometrical parameters. C2N Marcoussis has large clean room facilities where hybrid interfaces and hybrid devices will be fabricated. Electrical and thermal measurements will be performed on dedicated set-up.
    The student intern may acquire knowledge in device simulation, clean-room nano-fabrication techniques and experimental characterization.

    [1] A.Talneau et al., Appl. Phys. Lett.,103,081901 (2013)
    [2] K.Pantzas et al., Tu-D2-3, IPRM 2014

    This research activity can be developed during a PhD proposed at the Paris Saclay University. The financial support is the doctoral allocation from Ecole Doctorale EDOM.

  • Etching InP in Cl2/Ar/N2 plasmas to make photonics crystals. Experimental and modeling study.

  • N. Vaissiere-(2010-03-01 / 2010-07-31)
    Niveau : Master2
    Contact : A. Talneau
    Groupe : Groupe d'Optique des Structures Semi-conductrices (GOSS)


    En savoir plus
    The aim of this work is to understand the interaction between plasma and surface during an etching process devoted to photonic crystals device fabrication. Then, we will try to find optimal process to etch anisotropic photonic crystals without roughness. This work divides in two parts which are experimental and modeling study of InP etching. Firstly, we used a global kinetic model to quantify the densities of neutral and charged species and the electron density and temperature in Cl2/Ar/N2 discharge. Next, we calculated, with sheath model based on Monte Carlo technique, the energy and angular ions distribution function. Finally, we studied the etch surface versus reactor parameters using the surface model (power ICP, pressure, percentage of gas…). Secondly, we fabricated photonic crystals with differents etching conditions using ICP RIE etching technique. We observed InP etched profiles using SEM characterization, in order to identify the etching parameters impacts on InP etched surfaces. We finally present the comparison between several profiles etching and simulation, we could validate our surface model. Moreover, we explained mechanisms of etching present at the surface like the passivation effect of N2 and the physical and chemical etch induced by ions and neutrals.

  • Filtres optiques à base de cristaux photoniques. Application au filtrage en longueur d'onde

  • Y. El Sawah-(2002-01-01 / 2002-06-01)
    Niveau : Master2
    Contact : A. Talneau
    Groupe : Groupe d'Optique des Structures Semi-conductrices (GOSS)


    En savoir plus
    DEA Optique et photonique, EDOM

  • Guides à cristaux photoniques sur substrat InP

  • C. Komla-(2001-01-01 / 2001-06-01)
    Niveau : Master2
    Contact : A. Talneau
    Groupe : Groupe d'Optique des Structures Semi-conductrices (GOSS)


    En savoir plus
    DEA Optique et Photonique, EDOM,

  • Guide optique à mode étendu

  • P. Altuntas-(2011-04-04 / 2011-07-04)
    Niveau : Master1
    Contact : A. Talneau
    Groupe : Groupe d'Optique des Structures Semi-conductrices (GOSS)


    En savoir plus
    Les bonnes performances en terme de comportement thermique des dispositifs intégrés sur silicium passent par la conception innovante d’un guide optique qui sera à la fois de taille relativement grande, pour permettre une évacuation efficace de la chaleur et néanmoins monomode pour permettre une propagation de la lumière sans dispersion modale. Nous proposons d’ajouter au sein de la structure guidante une nanostructuration, qui, opérant comme un miroir sélectif, autorisera la propagation d’un unique mode étendu, sur une plage spectrale raisonnable (de l’ordre de 50nm). Au cours du stage, le candidat utilisera les outils de simulation permettant de calculer les modes propres de structures (Comsol Multiphysics), puis des guides seront fabriquées dans du silicium et caractérisés à l’aide d’un set-up de mesure de transmission fibré.

  • Calcul de modes propres dans un guide d’onde

  • V. Rouget-(2009-05-01 / 2009-07-31)
    Niveau : Master1
    Contact : A. Talneau
    Groupe : Groupe d'Optique des Structures Semi-conductrices (GOSS)


    En savoir plus
    Un guide d’onde est un dispositif permettant de guider la lumière pour permettre un transport d’informations. Un exemple connu de guide d’onde est la fibre optique utilisée dans les télécommunications. Les avantages de tels dispositifs sont la rapidité d’acheminement des signaux (vitesse de la lumière dans le milieu constituant le guide), les grandes distances pouvant être parcourues avec une faible atténuation. La fabrication de ces guides optiques est précédée d’une simulation, pour pouvoir adapter leur géométrie aux caractéristiques techniques souhaitées. Cette simulation s’effectue avec des logiciels qui nécessitent d’être validés par des résultats expérimentaux. Mon stage a pour but de vérifier que le logiciel commercial OptiBPM, édité par Optiwave, est un outil qui répond aux attentes des chercheurs du CNRS-LPN, pour le calcul de modes propres supportés par des guide d’onde.

  • Caractérisation des structures guidantes à cristaux photoniques bidimensionnels par spectroscopie à transformée de Fourier

  • M. Saada-(2002-04-01 / 2002-06-01)
    Niveau : Master
    Contact : A. Talneau
    Groupe : Groupe d'Optique des Structures Semi-conductrices (GOSS)


    En savoir plus
    Elève de l'Ecole polytechnique, master de Physique

  • Guides d'onde optiques à base de cristaux photoniques bidimensionnels

  • S. Maiti-(2001-04-01 / 2001-06-01)
    Niveau : Master
    Contact : A. Talneau
    Groupe : Groupe d'Optique des Structures Semi-conductrices (GOSS)


    En savoir plus
    Elève de l'Ecole polytechnique

  • Contribution à l'étude d'un amplificateur optique à semi-conducteur émettant à 1.55µm intégré sur Silicium

  • S. Guillemot-(2009-11-01 / 2010-05-31)
    Niveau : Licence
    Contact : A. Talneau
    Groupe : Groupe d'Optique des Structures Semi-conductrices (GOSS)


    En savoir plus
    En savoir plus : Ce stage a contribué à mieux définir certaines étapes de réalisation d’un amplificateur optique hybride composé d’un guide Silicium et d’un guide en matériaux semi-conducteurs III-V fournissant du gain optique à 1.55µm, dans le but d’amplifier optiquement les informations transportées sur de longues distances. On a étudié : • Par simulation numérique les dimensions optimales des différentes couches de matériaux composant l’amplificateur. • Certaines étapes du procédé de fabrication de l’amplificateur, en particulier deux étapes déterminantes : le collage hétéroépitaxial pour associer les deux matériaux Si et III-V, et la réalisation des contacts électriques pour assurer l’injection de porteurs.
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