Présentation

Objectives

• Growth and structural analysis of monolithically integrated III-V and group IV semiconductors
• Direct bandgap germanium via strain engineering
• Determine the structural properties of the interfaces between Si, crystalline oxides and III-V semiconductors

The main objectives of this research action are to define the best routes for integrating III-V compounds with group IV semiconductors. Over the last four years, two approaches have been developed.
The first approach, entirely carried out at LPN, relies on the metal-organic vapor phase epitaxy (MOPVE) of germanium layers. We aims at studying and understanding the growth of such layers using the metal-organic isobutyl-germane (IBuGe) source recently developed by the Rohm and Haas company. IBuGe is a liquid less toxic than germane. We intend to control the n-type and p-type doping of Ge layers in a III-V reactor, for solar cell applications. We also aim at growing highly n-doped and tensile-strained Ge layers of high structural quality on specific plastically relaxed layers in order to obtain direct bandgap Ge.
The second approach deals with integrating III-V semiconductors on Si, which, besides important applicative issues, is one major challenge of epitaxial growth. In this case, we lead the structural investigations of 2D and quantum dot (QD) III-V structures grown by molecular beam epitaxy (MBE) at Institut des Nanosciences de Lyon (INL). 2D growth is performed on crystalline (Ba,Sr)TiO₃ (STO), Gd₂O₃ or Al₂O₃ oxide buffer layers. We concentrated on the study and control of the compliant behavior of the interfaces between these oxides and the III-V (or Ge) deposits. On the other hand, In(Ga)As QDs are grown directly on Si substrates. We found that we could avoid the expected type-II character of the InAs/Si interface by inserting the QDs inside a thin Si layer deposited on a silicon-on-insulator (SOI) substrate.

Highlights

• Homoepitaxial growth of n and p doped Ge using isobutyl-germane in a III-V MOVPE reactor
• Atomic scale description of the compliant interface between InP and SrTiO₃
• Controlled coalescence of InP islands on Si with SrTiO₃ template yields layer with low density of structural defects
• Control of the crystalline orientation of GaAs islands on SrTiO₃
• Crystalline properties of self-assembled Ge nanocrystals grown on BaTiO₃/SrTiO₃/Si(001)
• Elucidation of the growth mechanisms of (In,Ga)As quantum dots on a Si (001) substrate

Collaborations

• P. Boucaud, M. El Kurdi, S. Sauvage, IEF, Orsay
• P. Roca i Cabarrocas, LPICM, Ecole polytechnique, Palaiseau
• ERSE (formerly CESI-RICERCA), Piacenza, Italie
• Rohm and Haas, France and USA
• G. Saint-Girons, M. Gendry, INL, Lyon

Membres

Contacts

Sagnes Isabelle	(+33) 1 69 63 61 71
Patriarche Gilles	(+33) 1 69 63 61 73
Largeau Ludovic	(+33) 1 69 63 61 74

Et aussi...

Beaudoin Gregoire	(+33) 1 69 63 62 45
Mauguin Olivia	(+33) 1 69 63 61 07

Brevets

• Heterostructures semiconductrices monolithiques epitaxiees et leur procede de fabrication (International Application No.: PCT/FR2008/051669), G. Saint-Girons, L. Largeau, G. Patriarche, P. Regreny, G. Hollinger, FR 2008/051669, (2008-09-17)
  

Publications

• Nanoscale concentration and strain distribution in pseudomorphic films Si1-xGex/Si processed by pulsed laser induced epitaxy , L. Vincent, F. Fossard, T. Kociniewski, L. Largeau, N. Cherkashin, M. Hytch, D. Debarre, T. Sauvage, A. Claverie, J. Boulmer, D. Bouchier, Appl. Surf. Sci. 23, 9208 (2012)
• Control of tensile strain in germanium waveguides through silicon nitride layers , A. Ghrib, M. de Kersauson, M. El Kurdi, R. Jakomin, G. Beaudoin, S. Sauvage, G. Fishman, G. Ndong, M. Chaigneau, R. Ossikovski, I. Sagnes, P. Boucaud, Appl. Phys. Lett. 100, 201104 (2012)
• Optical gain in single tensile-strained germanium photonic wire , M. de Kersauson, M. El Kurdi, S. David, X. Checoury, G. Fishman, S. Sauvage, R. Jakomin, G. Beaudoin, I. Sagnes, P. Boucaud, Optics Express 19, 17925 (2011)
• p and n-type germanium layers grown using iso-butyl germane in a III-V metal-organic vapor phase epitaxy reactor , R. Jakomin, G. Beaudoin, N. Gogneau, B. Lamare, L. Largeau, O. Mauguin, I. Sagnes, Thin Solid Films 519, 4186 (2011)
• Direct epitaxial growth of InP based heterostructures on SrTiO(3)/Si(001) crystalline templates , G. Saint-Girons, J. Cheng, A. Chettaoui, J. Penuelas, B. Gobaut, P. Regreny, L. Largeau, G. Patriarche, C. Botella, G. Hollinger, Microelectron. Eng. 88, 469 (2011)
• High quality tensile-strained n-doped germanium thin films grown on InGaAs buffer layers by metal-organic chemical vapor deposition , R. Jakomin, M. de Kersauson, M. El Kurdi, L. Largeau, O. Mauguin, G. Beaudoin, S. Sauvage, R. Ossikovski, G. Ndong, M. Chaigneau, I. Sagnes, P. Boucaud, Appl. Phys. Lett. 98, 91901 (2011)
• Evidence for the formation of two phases during the growth of SrTiO(3) on silicon , G. Niu, J. Penuelas, L. Largeau, B. Vilquin, J. L. Maurice, C. Botella, G. Hollinger, G. Saint-Girons, Phys. Rev. B 83, 54105 (2011)
• Direct growth of InAsP/InP quantum well heterostructures on Si using crystalline SrTiO(3)/Si templates , B. Gobaut, J. Penuelas, J. Cheng, A. Chettaoui, L. Largeau, G. Hollinger, G. Saint-Girons, Appl. Phys. Lett. 97, 201908 (2010)
• Epitaxial growth of germanium on silicon using a Gd2O3/Si (111) crystalline template , G. Niu, L. Largeau, G. Saint-Girons, B. Vilquin, J. Cheng, O. Mauguin, G. Hollinger, J. Vac. Sci. Technol. A 28, 1187 (2010)
• Direct and indirect band gap room temperature electroluminescence of Ge diodes , M. de Kersauson, R. Jakomin, M. El Kurdi, G. Beaudoin, N. Zerounian, F. Aniel, S. Sauvage, I. Sagnes, P. Boucaud, J. Appl. Phys. 108, 23105 (2010)
• Optically active defects in an InAsP/InP quantum well monolithically grown on SrTiO3(001) , J. Cheng, T. Aviles, A. El Akra, C. Bru-Chevallier, L. Largeau, G. Patriarche, P. Regreny, A. Benamrouche, Y. Robach, G. Hollinger, G. Saint-Girons, Appl. Phys. Lett. 95, 232116 (2009)
• Accommodation at the interface of highly dissimilar semiconductor/oxide epitaxial systems , G. Saint-Girons, J. Cheng, P. Regreny, L. Largeau, G. Patriarche, G. Hollinger, Phys. Rev. B 80, 155308 (2009)
• Crystal orientation of GaAs islands grown on SrTiO3 (001) by molecular beam epitaxy , L. Largeau, J. Cheng, P. Regreny, G. Patriarche, A. Benamrouche, Y. Robach, M. Gendry, G. Hollinger, G. Saint-Girons, Appl. Phys. Lett. 95, 11907 (2009)
• Twin formation during the growth of InP on SrTiO3 , J. Cheng, L. Largeau, G. Patriarche, P. Regreny, G. Hollinger, G. Saint-Girons, Appl. Phys. Lett. 94, 231902 (2009)
• Influence of the surface reconstruction on the growth of InP on SrTiO3(001) , J. Cheng, P. Regreny, L. Largeau, G. Patriarche, O. Mauguin, K. Naji, G. Hollinger, G. Saint-Girons, J. Cryst. Growth 311, 1042 (2009)
• Epitaxial growth of high-kappa oxides on silicon , C. Merckling, G. Saint-Girons, G. Delhaye, G. Patriarche, L. Largeau, V. Favre Nicolin, M. El-Kazzi, P. Regreny, B. Vilquin, O. Marty, C. Botella, M. Gendry, G. Grenet, Y. Robach, G. Hollinger, Thin Solid Films 517, 197 (2008)
• Self-assembled Ge nanocrystals on BaTiO3/SrTiO3/Si(001) , L. Largeau, G. Patriarche, G. Saint-Girons, G. Delhaye, G. Hollinger, Appl. Phys. Lett. 19, 31904 (2008)
• Spontaneous compliance of the InP/SrTiO3 heterointerface , G. Saint-Girons, C. Priester, P. Regreny, G. Patriarche, L. Largeau, V. Favre Nicolin, G. Y. Xu, Y. Robach, M. Gendry, G. Hollinger, Appl. Phys. Lett. 92, 241907 (2008)
• Monolithic integration of InP based heterostructures on silicon using crystalline Gd2O3 buffers , G. Saint-Girons, P. Regreny, L. Largeau, G. Patriarche, G. Hollinger, Appl. Phys. Lett. 91, 241912 (2007)
• Growth of crystalline gamma-Al2O3 on Si by molecular beam epitaxy: Influence of the substrate orientation , C. Merckling, M. El-Kazzi, G. Saint-Girons, G. Hollinger, L. Largeau, G. Patriarche, V. Favre Nicolin, O. Marty, J. Appl. Phys. 102, 24101 (2007)
• Continuous-wave operation of photonic band-edge laser near 1.55 mu m on silicon wafer , G. Vecchi, F. Raineri, I. Sagnes, A. Giacomotti, P. Monnier, T. J. Karle, K.-H. Lee, R. Braive, L. Le Gratiet, S. Guilet, G. Beaudoin, A. Talneau, S. Bouchoule, J. A. Levenson, R. Raj, Optics Express 15, 7551 (2007)
• Photonic-crystal surface-emitting laser near 1.55 micron on gold-coated silicon wafer , G. Vecchi, F. Raineri, I. Sagnes, K.-H. Lee, S. Guilet, L. Le Gratiet, F. Van Laere, G. Roelkens, D. Van Thourhout, R. Bats, J. A. Levenson, R. Raj, Electron. Lett. 43, 343 (2007)
• High contrast reflection modulation near 1.55 mu m in InP 2D photonic crystals on silicon wafer , G. Vecchi, F. Raineri, I. Sagnes, K.-H. Lee, S. Guilet, L. Le Gratiet, A. Talneau, J. A. Levenson, R. Raj, F. Van Laere, G. Roelkens, D. Van Thourhout, R. Bats, Optics Express 15, 1254 (2007)
• Structural properties of epitaxial SrTiO3 thin films grown by molecular beam epitaxy on Si(001) , G. Delhaye, C. Merckling, M. El-Kazzi, G. Saint-Girons, M. Gendry, Y. Robach, G. Hollinger, L. Largeau, G. Patriarche, J. Appl. Phys. 100, 124109 (2006)
• Long-wavelength room-temperature operation of a strained InGaAs/GaAs quantum well structure monolithically grown by MOCVD on a LE-PECVD graded misoriented Ge/Si virtual substrate , Y. Chriqui, G. Saint-Girons, G. Isella, H. von Kaenel, S. Bouchoule, I. Sagnes, Opt. Mat. 27, 846 (2005)
• Direct growth of GaAs based structures on exactly (001)-oriented Ge/Si virtual substrates : reduction of the structural defect density and observation of electroluminescence at room temperature under CW electrical injection , Y. Chriqui, L. Largeau, G. Patriarche, G. Saint-Girons, S. Bouchoule, I. Sagnes, D. Bensahel, Y. Campidelli, O. Kermarrec, J. Cryst. Growth 265, 53 (2004)
• Room Temperature laser operation of strained InGaAs/GaAs QW structure monolithically grown by MOVCD on LE-PECVD Ge/Si virtual substrate , Y. Chriqui, G. Saint-Girons, S. Bouchoule, J.-M. Moison, G. Isella, H. von Kaenel, I. Sagnes, Electron. Lett. 39, 1658 (2003)
• Electromodulation of the interband and intraband absorption of Ge/Si self assembled islands , M. El Kurdi, P. Boucaud, S. Sauvage, G. Fishman, O. Kermarrec, Y. Campidelli, D. Bensahel, G. Saint-Girons, G. Patriarche, I. Sagnes, Physica E 16, 450 (2003)
• Silicon-on-insulator and SiGe waveguide photodetectors with Ge/Si self-assembled islands , M. El Kurdi, P. Boucaud, S. Sauvage, G. Fishman, O. Kermarrec, Y. Campidelli, D. Bensahel, G. Saint-Girons, G. Patriarche, I. Sagnes, Physica E 16, 523 (2003)
• Near-infrared waveguide photodetector with Ge/Si self-assembled quantum dots , M. El Kurdi, P. Boucaud, S. Sauvage, O. Kermarrec, Y. Campidelli, D. Bensahel, G. Saint-Girons, I. Sagnes, Appl. Phys. Lett. 80, 509 (2002)
• Silicon-on-insulator waveguide photodetector with Ge/Si self-assembled islands , M. El Kurdi, P. Boucaud, S. Sauvage, G. Fishman, O. Kermarrec, Y. Campidelli, D. Bensahel, G. Saint-Girons, I. Sagnes, G. Patriarche, J. Appl. Phys. 92, 1858 (2002)

Contrats et projets

Projets Internationaux

APOLLON : Multi-APprOach for high efficiency integrated and inteLLigent cONcentrating PV modules (Systems)

Référence de contrat : ICT collaborative project Number 213514
Responsable(s) LPN : Isabelle Sagnes
Principaux objectifs : The main objective in APOLLON is to develop High concentration Point Focus and Dense Array systems (MBS3) based on monolithic and discrete MJ technology with a final target cost of 2 €/W. 16 partners are involved in the APOLLON project (from Universities to the final End-User) to assure the expertise mixture necessary to face all the technological critical issues related to each component of the CPV system. The role of the LPN laboratory is to developp Ge growth by using the recently developed Isobutilgermanium precursor in an III-V D180 MOCVD reactor from VEECO. The objectives for LPN is to realize MOCVD homo-epitaxy of Ge on Ge with high crystalline properties, to control the N-type and p-type doping of the Ge layers, to realise epitaxial Ge solar cells structures (GaAs/AlGaAs/Ge-EPI Ntype /Ge-EPI P type) on Ge substrate in collaboration with ERSE ((ex – CESI RICERCA) Power Generation System Department) with open circuit voltages higher than 300mV at 500X. (2008-2011)




ANR non thématiques

GRAAL : Group IV laser based on n-type and tensile-strained germanium

Référence de contrat : ANR Blanc
Coordinateur, Partenaire(s) : P. Boucaud (IEF )
Principaux objectifs : Group IV laser based on n-type and tensile-strained germanium (2011-2015)

OPTOSI : Intégration par épitaxie de composants optoélectroniques III-V sur Si

Référence de contrat : ANR Blanc
Coordinateur, Partenaire(s) : E. Tournié (IES )
Principaux objectifs : (2012-2015)




ANR jeunes chercheurs

BOTOX : BOîtes quantiques épiTaxiées dans une matrice d’OXyde de grand gap pour des applications en nanophotonique

Référence de contrat : ANR jeunes chercheurs
Coordinateur, Partenaire(s) : G. Saint-Girons (INL ),
Responsable(s) LPN : Gilles Patriarche, Ludovic Largeau
Principaux objectifs : L’objectif de ce projet est d’aboutir à la maîtrise de l’épitaxie de boîtes quantiques III-V dans une matrice épitaxiale d’oxyde de grand gap. Il débouchera sur la mise au point de protocoles d’épitaxie et d’encapsulation de ces nanostructures, ainsi que sur une description détaillée de leurs mécanismes de formation et de leurs propriétés structurales et optiques. Il conduira aussi à l’évaluation des propriétés physiques de ces nanostructures vis à vis de deux types d’applications : les microsources photoniques à base de microrésonateurs en anneau et à cristaux photoniques, et les source à boîtes quantiques uniques pour la cryptographie quantique. (2006-2009)




ANR PNANO

COMPHETI : Compliance des hétérointerfaces semiconducteur/oxyde pour l’intégration monolithique d’InP sur Si(001)

Référence de contrat : ANR P3N
Coordinateur, Partenaire(s) : G. Saint-Girons (INL ),
Responsable(s) LPN : Ludovic Largeau, Gilles Patriarche
Principaux objectifs : Global understanding of the physics of semiconductor/oxide heterointerfaces and InP/perovskite oxide/Si(001) growth mechanisms, and fabrication of high quality InP layers on STO/Si(001) templates. Coordinator: G. Saint-Girons (INL). Partners: INL, IEMN, INAC. (2009-2012)

BIQUINIS : Boîtes quantiques d'InAs insérées dans une matrice de silicium

Référence de contrat : ANR PNANO
Responsable(s) LPN : Gilles Patriarche, Ludovic Largeau
Principaux objectifs : L’objectif du projet est d’ouvrir la voie au développement d’une filière optoélectronique à base de boîtes quantiques (BQ) III-V insérées dans une matrice de silicium et donc de viser la fonction « émission de lumière » pour la filière silicium. Une des limitations possibles à un tel développement provient de la nature probable de type II de l’interface InAs/Si. Le but de ce projet sera, le cas échéant, de contourner cette limitation. Il s’agira donc d’abord d’étudier les propriétés physiques de telles BQ d’InAs/Si, tant d’un point de vue expérimental que théorique. On déterminera en particulier le type d’offset à l’interface entre le silicium (semiconducteur à gap indirect) et l’InAs (semiconducteur III-V à gap direct).Pour favoriser, le cas échéant, une interface de type I, l’originalité de notre projet consistera à insérer les BQ d’InAs dans un puits quantique de silicium fabriqué à partir d’un substrat SOI. Ce sont les effets attendus de confinement du silicium qui favoriseront une interface de type I avec l’InAs. Il sera nécessaire de développer la croissance EJM auto-organisée de BQ d’InAs sur substrat silicium et substrat SOI aminci et leur encapsulation, en optimisant l’émission autour de 1,3?m. Un démonstrateur de type microdisque sur substrat SOI contenant un plan de boîtes InAs insérées dans un puits quantique de silicium sera fabriqué puis testé, afin d’évaluer les potentialités de cette filière pour réaliser des émetteurs de lumière sur silicium. (2008-2010)




Autres Projets Nationaux

GAIN : Germanium contraint A bande INterdite directe

Référence de contrat : RTRA Triangle de la Physique
Coordinateur, Partenaire(s) : M. El Kurdi (IEF ),
Responsable(s) LPN : Isabelle Sagnes
Principaux objectifs : L’objectif de ce projet est de montrer pour la première fois qu’il est possible d’obtenir un matériau à bande interdite directe dans la filière silicium en imposant une contrainte en tension au germanium. Cette contrainte sera obtenue en épitaxiant du germanium d’épaisseur nanométrique sur InP. Nous optimiserons les paramètres régissant cette hétéroépitaxie entre matériau de la colonne IV et matériau III-V par des mesures structurales (microscopie, analyse de l’hétérointerface). Des mesures d’absorption interbande et de luminescence nous permettront d’étudier la transition entre bande interdite directe et bande interdite indirecte. Nous corrélerons cette transition avec des calculs de structure de bande permettant de décrire à la fois les états de conduction et de valence sur l’ensemble de la zone de Brillouin (formalisme k.p 30 bandes). L’obtention d’une bande interdite directe nous permettra de faire la démonstration d’un gain optique avec ce matériau sous pompage optique interbande. Ceci ouvrira la voie à la première réalisation d’un laser utilisant la bande interdite directe du germanium. Ces travaux serviront d’étapes en vue de la réalisation de composants lasers intégrés monolithiquement sur silicium à partir d’alliages à base de germanium et d’étain épitaxiés sur silicium ou par application d’une contrainte externe. La durée du projet est de deux ans, la première année étant consacrée à la modélisation des effets de contrainte et de confinement dans des couches nanométriques et à l’optimisation de la croissance de germanium sur substrat InP. La deuxième année sera consacrée à la mise en évidence expérimentale de la bande interdite directe du germanium contraint et la démonstration de gain sous pompage optique. Ces travaux permettront également d’explorer les propriétés de nouvelles sources à grande longueur d’onde (2 – 5 µm) sur InP. Partenaire(s) : Projet porté par El Kurdi de l’IEF, LPN. (2008-2011)

Stages passés et en cours

Post-doctorat

• Heteroepitaxial bonding for photonic devices, structural and mechanical characterisations

K. Pantzas-(En cours depuis 2013-02-01)
Contact : G. Patriarche , E. Le Bourhis , A. Talneau
Groupe : Groupe d'Optique des Structures Semi-conductrices (GOSS)
            Elaboration et Physique des Structures Epitaxiées (ELPHYSE)
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This PhD position is opened in the framework of the ANR-P2N COHEDIO project (2012-2015) Heteroepitaxial bonding for Hybrid Integration of Nanostructured Optical devices . The aim of this project is to open new fabrication routes for hybrid photonic devices. Today, hybridation requires an intermediate layer added in-between the two bonded materials which limits the device performances, mainly their thermal behaviour. Within this project, we aim at producing without employing any intermediate layer high quality hybrid interfaces. It is mandatory that all bonds at the interface be reconstructed in order to preserve the crystalline properties and nanostructuration of each material. We will then be able to successfully hybrid materials that cannot be integrated with conventional methods and thus open new application fields. Within this PhD, we will focus on silicon bonding of two main classes of materials employed in the fabrication of photonic integrated circuits: (i) III-V semi-conducteurs e.g. GaAs or InP for emission/amplification function and (ii) magneto-optic garnets -YIG- for optical insulation. For device application, the Silicon surface will be nanostructured to obtain optical guides. We will also investigated bonding of III-V semi-conductors on SiC due to its high thermal conductivity. The bonded surfaces will be limited to a device footprint, thus ~ 1 cm2 . A first successful result has been obtained in LPN and presented at IPRM 2011. The PhD work will address surfaces preparation; their chemical nature before bonding will be checked by surface spectroscopy. The structure of the bonded interface will be studied until the atomic scale using TEM/STEM techniques. The bond strength will be checked mechanically employing instrumented indentation and its structure and mechanical resistance will be analyzed in depth with transmission electron microscopy. In the case of YIG bonded material on Si, the PhD candidate will be involved in the device processing performed before and after the bonding step. An optical isolator based on a Mach-Zehnder interferometer design in the Si guiding layer, as proposed in Y.Shoji et al., Appl. Phys. Lett., 92,071117 (2008) will be fabricated and characterized.


• Epitaxie MOCVD de Ge dopé dans un réacteur III-V pour application aux cellules solaires à haut rendement

R. Jakomin-(2008-10-01 / 2010-09-30)
Contact :
Groupe : Elaboration et Physique des Structures Epitaxiées (ELPHYSE)
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L’enjeu actuel est l’intégration monolithique dans un même réacteur d’épitaxie de la croissance de matériaux IV-IV et de matériaux III-V pour la réalisation de cellules solaires à haut rendement et de composants photoniques actifs sur Si/Ge. Maîtrisant la croissance de structures complexes sur GaAs en EPVOM, nous nous focaliserons sur l’utilisation de nouveaux précurseurs organométalliques de germanium et de silicium pour réaliser l’intégration GaAs/Ge et GaAs/SiGe/Si. L\\\'objectif du post-doctorant est de contrôler par épitaxie dans un réacteur III-V les dopages N et P du Ge afin de réaliser la première jonction P/N des cellules solaires convergeantes à haut-rendement (projet européen APOLLON, (01/07/2008-30/06/2011)) et ceci en contrôlant le dopage résiduel des couches supérieures d’AlGaAs/GaAs. Le précurseur silicium (actuellement en développement dans les laboratoires de recherche de la société Rohm and Haas) sera implanté sur notre réacteur pour réaliser des pseudo-substrats de SiGe par EPVOM. Outre un intérêt pour l’augmentation des performances des cellules solaires, le précurseur de germanium nous permettra aussi de marier le Ge et l’InP (Projet RTRA GAIN en collaboration avec l\\\'IEF) afin de rendre le Ge à bande interdite directe en lui imposant le paramètre de maille de l’InP. Des études des conditions de croissance du Ge sur InP seront menées ainsi que des caractérisations structurales et optiques.

Thèse

• Réalisation par EPVOM et caractérisation de microcavités et de lasers à 1,3 µm contenant des boites quantiques InAs/GaAs épitaxiés directement sur substrat de GaAs et sur un substrat de Si (via une couche relaxée d'alliage SiGe)

Y. Chriqui-(2002-01-01 / 2005-01-01)
Contact : I. Sagnes
Groupe : Elaboration et Physique des Structures Epitaxiées (ELPHYSE)
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Thèse de Doctorat

Stage

• Collage hétéroépitaxial pour l’intégration hybride de dispositifs photoniques nano structurés

Niveau : Master2
Contact : G. Patriarche , A. Talneau
Groupe : Elaboration et Physique des Structures Epitaxiées (ELPHYSE)
            Groupe d'Optique des Structures Semi-conductrices (GOSS)
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Le futur de l’optique intégrée passe par l’intégration sur Silicium, pas seulement comme plate-forme d’intégration où les différents composants individuels sont reportés, mais aussi pour mettre à profit les très bonnes performances des guides en silicium sur SiO2 – SoI – aux longueurs d’onde télécom. Par ailleurs, les matériaux semi-conducteurs III-V à base de Phosphure d’Indium ont de très bonnes propriétés d’émission/amplification dans le domaine spectral 1.55µm. Le LPN propose d’étudier le collage hétéroépitaxial de matériaux à base d’InP sur le Silicium, et ce sans couche intermédiaire de façon à préserver toute nanostructuration que l’on aura dessiné dans un des matériaux. Le LPN a acquis une presse équipée d’un four dans lequel on étudie le collage sans couche intermédiaire. On reconstruit ainsi la structure cristalline à l’interface des deux matériaux. De premiers résultats concluants montrent le collage d’un substrat InP sur Si. Il faut maintenant aborder le collage de structures contenant des puits quantiques pour pouvoir ensuite réaliser des dispositifs émetteurs/amplificateurs de lumière. Au cours du stage, le candidat étudiera et réalisera les préparations de surface, les collages et les caractérisations des surfaces collées. Une thèse pourra être proposée à la fin de ce stage dans le cadre du projet ANR COHEDIO.


• Vers un amplificateur optique à semi-conducteur intégré sur Silicium

Niveau : Master2
Contact : A. Talneau , I. Sagnes , G. Patriarche
Groupe : Groupe d'Optique des Structures Semi-conductrices (GOSS)
            Elaboration et Physique des Structures Epitaxiées (ELPHYSE)
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Le futur de l’optique intégrée passe par l’intégration sur Silicium, pas seulement comme plate-forme d’intégration où les différents composants individuels sont reportés, mais aussi pour mettre à profit les très bonnes performances des guides en silicium sur SiO2 – SoI – aux longueurs d’onde télécom. Les modes supportés par ces guides de fort indice sont très confinés. On peut donc construire des architectures de circuits intégrés photoniques –CIP– ultra compactes. Par ailleurs, la fonction d’amplification est nécessaire dans un CIP car il faut compenser l’ensemble des pertes de couplage/propagation. Les matériaux semi-conducteurs III-V à base de Phosphure d’Indium ont de très bonnes propriétés d’émission/amplification dans le domaine spectral 1.55µm. Dans le cadre de ce stage, nous proposons d’étudier deux des étapes conduisant à la réalisation d’un amplificateur optique intégré fonctionnant dans le domaine de longueur d’onde 1.55µm, obtenu par intégration hybride de matériau III-V sur Si. Une des étapes concerne la conception du guide optique supportant le mode amplifié, qui se trouve étendu sur les deux matériaux III-V et Si. L’autre étape que nous proposons d’étudier concerne la technologie du collage moléculaire par laquelle les deux matériaux III-V et Si se retrouvent en contact sans couche intermédiaire et sans dégradation de leur qualité cristalline, ce qui permet à un supermode de s’étendre sans pertes dans les deux matériaux. Il est important d’étudier ces deux étapes simultanément car la conception du guide sera dépendante des résultats obtenus pour le collage.Le Laboratoire dispose des outils de simulation pour calculer les paramètres du guide, et a une expérience reconnue sur le collage moléculaire [1], ainsi que sur l’injection électrique dans les dispositifs III-V [2]. Une thèse est proposée à la suite de ce stage, pour concevoir et réaliser un amplificateur à gain bloqué, le blocage du gain étant obtenu en faisant laser la structure. La technologie de fabrication de l’amplificateur à gain bloqué fera partie de la thèse. [1] G.Patriarche et al., J. Appl. Phys. 82,4892 [2] A.Talneau et al., Appl. Phys. Lett., 85, 1913


• Réalisation par EPVOM de composants opto-électroniques émettant à 1,3 µm contenant des boites quantiques InAs/GaAs obtenues par épitaxie sélective directement sur substrat de GaAs et sur un substrat de Si (via une couche relaxée de Ge)

Niveau : Master2
Contact : I. Sagnes
Groupe : Elaboration et Physique des Structures Epitaxiées (ELPHYSE)
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La principale difficulté liée à l’épitaxie de semiconducteurs III-V sur Si est la forte différence de paramètre de maille entre les matériaux (4% entre le GaAs et le Si). Par contre, le Germanium (Ge) possède un paramètre de maille quasi-égal à celui du GaAs. Notre approche consiste donc à utiliser des pseudo-substrats de Ge/Si, constitués d’une couche de Ge déposée par PECVD sur Silicium. La fabrication de ces substrats est maîtrisée par STMicroelectronics à Grenoble, qui les fournit au LPN. Ils présentent une densité de dislocation très faible (de l’ordre de 106 cm-2), et une rugosité de surface adaptée à la reprise de croissance du GaAs et de ces composés. Cependant, i) le Ge et le GaAs ont un désaccord résiduel de maille faible, mais non nul ; ii) le Ge et le GaAs ont une structure cristalline différente (cubique face centrée et zinc-blende). Ceci conduit à la formation, dans le cristal GaAs, de zones « d’antiphase » qui favorisent l’apparition de centres recombinants pour les porteurs; et iii) les coefficients de dilatation thermique du GaAs et du Silicium sont différents, ce qui conduit à l’apparition dans les structures épitaxiées de fissures. Ces deux derniers points sont particulièrement pénalisants pour la réalisation de composants. Une thèse menée au LPN a permis de mettre au point des conditions de croissance aux organométalliques (épitaxie en phase vapeur aux organométalliques : EPVOM) permettant de limiter l’effet pénalisant de ces paramètres, (taille des domaines d’anriphase > 2*2 µm2 compatible avec la réalisation de nanosources GaAs sur Si) et une diode électroluminescente verticale à base de boîtes quantiques émettant à 1,2 µm a pu être réalisée sur pseudo-substrat de Ge/Si. Ces avancées sont encourageantes, mais d’importants efforts d’épitaxie restent à fournir pour obtenir des composants optiques plus performants.


• Caractérisation par diffraction X de semi-conducteurs III-V épitaxiés sur substrat de silicium

V. Berger-(2003-04-07 / 2003-06-27)
Niveau : DUT
Contact : L. Largeau
Groupe : Elaboration et Physique des Structures Epitaxiées (ELPHYSE)
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Stage de DUT Mesures Physiques