Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies - Campus de Marcoussis
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Elaboration et Physique des Structures épitaxiées
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ELPHYSE

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QD

Quantum Dots

Nanowires III-V Nanowires
HeterOpSi HeterOpSi : Hétérostructures III-V pour l'optoélectronique sur Si

MaSCaVert PHeW : Planar heterostructures for wave engineering

Relax AMoN : Analysis and modelling of nanostructures

SemiMag SemiMag : Semiconducteurs semimagnétiques pour l'électronique de spin

L'équipe ELPHYSE fabrique des structures épitaxiées et étudie leurs propriétés physiques. Les structures épitaxiées sont des empilements de minces couches monocristallines de matériaux semiconducteurs, destinés à être intégrés dans des dispositifs optoélctroniques et microélectroniques. Le groupe mène une activité essentiellement expérimentale, avec une composante théorique. Il dispose de puissants moyens d'élaboration (épitaxie par jets moléculaires, épitaxie en phase vapeur aux organométalliques, collage épitaxial) et d'étude structurale, chimique, électronique et optique (diffraction des rayons X à haute résolution, microscopie électronique en transmission, nanoanalyse, spectroscopie Raman, photoluminescence).

Le spectre des objets étudiés est très large: alliages semiconducteurs III-V, empilements contraints, boîtes et fils quantiques, microstructures et nanostructures pour la photonique, matériaux pour l'électronique de spin. Une part importante de nos activités est consacrée au développement d'objets originaux : nouveaux alliages, semiconducteurs semimagnétiques, structures épitaxiées complexes, nouveaux substrats, membranes…

Nos travaux portent sur la formation de ces objets, sur leur structure, leur stabilité et leurs défauts, et sur leurs propriétés optiques et électroniques. Une large part de ces recherches est menée en collaboration, tant avec les autres équipes du Laboratoire (dont la plupart des études sont alimentées par les objets que nous développons) qu'avec de nombreux partenaires nationaux et internationaux (académiques et industriels).

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Puce Faits Marquants

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Puce Membres

Animateur

 Glas Frank  (+33) 1 69 63 60 79  

Permanents

 Beaudoin Gregoire  (+33) 1 69 63 62 45  
 Gogneau Noelle  (+33) 1 69 63 61 75  
 Harmand Jean-Christophe  (+33) 1 69 63 60 81  
 Largeau Ludovic  (+33) 1 69 63 61 74  
 Lemaître Aristide  (+33) 1 69 63 60 72  
 Mauguin Olivia  (+33) 1 69 63 61 07  
 Oehler Fabrice  (+33) 1 69 63 63 76  
 Patriarche Gilles  (+33) 1 69 63 61 73  
 Sagnes Isabelle  (+33) 1 69 63 61 71  
 Travers Laurent  (+33) 1 69 63 60 65  
 Pantzas Konstantinos  (+33) 1 69 63 60 54  

Stagiaires, doctorants, post-docs, invités

 Bui Quang_chieu  (+33) 1 69 63 61 75  
 Scaccabarozzi Andrea  (+33) 1 69 63 63 53  
 Morassi Martina  (+33) 1 69 63 61 75  
 Tang Jian  (+33) 1 69 63 60 79  
 Michaud Amadeo  (+33) 1 69 63 60 43  
 Barbier Camille  (+33) 1 69 63 62 27  

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Puce Brevets

  • Vertical External Cavity Surface Emitting Laser devices allowing high coherence high power and large tunability, A. Garnache, M. Myara, I. Sagnes, G. Beaudoin, L. Ferrières, V. Lecocq, S. Denet, EP14305752, (2014-05-21)
  • Substrat comprenant une couche de silicium et/ou de germanium et un ou plusieurs nanofils d'orientation perpendiculaire à la surface du substrat (N° 1256374). Déposants : Saint Gobain et CNRS, Y. Cohin, E. Sondergard, J.-C. Harmand, 1256374, (2012-07-03)
  • Sources et capteurs de lumière comprenant au moins une microcavité à mode Tamm plasmonique localisé (International Application N°: PCT/FR1003/881), P. Senellart, A. Lemaître, S. Michaelis de Vasconcellos, O. Gazzano, J. Bellessa, O. Daniel, FR 1003/881 , (2010-09-30)
  • Heterostructures semiconductrices monolithiques epitaxiees et leur procede de fabrication (International Application N°: PCT/FR2008/051669), G. Saint-Girons, L. Largeau, G. Patriarche, P. Regreny, G. Hollinger, FR 2008/051669, (2008-09-17)
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Puce Publications récentes

Publications dans des journaux
Publications dans des livres
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