CNRS/C2N : Stages, Thèses et Post-docs en cours (LPN) 
Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies - Campus de Marcoussis
Français Anglais
Stages, Thèses et Post-docs en cours
image 2
image 3
image 6

Stages passés et en cours

Trait horizontal

Puce Post-doctorats

Puce Thèses

Puce Stages

Puce      Master 2

Puce      Licence

Trait vertical

Voici la liste des post-doctorats, des thèses et des stages en cours. Vous pouvez aussi consulter la liste des propositions de stages

.

Puce Post-doctorats


  • Développement de briques technologiques (gravure ICP, contacts ohmiques) sur GaN et ses alliages.

  • G. Dagher-(En cours depuis 2009-01-01)
    Contact : J.-L. Pelouard
    Groupe : Micro et Nano Optique (MINAO)


    En savoir plus

  • Réalisation et étude par transmission/réflexion de nanostructures métal-diélectrique membranaires pour la nanophotonique

  • P. Ghenuche-(En cours depuis 2009-01-01)
    Contact : S. Collin
    Groupe : Micro et Nano Optique (MINAO)


    En savoir plus

  • Développement de briques technologiques pour la réalisation de dispositifs à base de nanotubes de carbone. Montage expérimental de mesure du photocourant issu des détecteurs infrarouges à grande longueur d’onde mettant en oeuvre des contacts sous pointes dans un cryostat et un spectromètre à transformée de Fourier.

  • S. Maine-(En cours depuis 2009-01-01)
    Contact :
    Groupe : Micro et Nano Optique (MINAO)


    En savoir plus

  • Développement de procédés de gravure par voies chimique et sèche : analyse des chimies de surface (XPS, nanoAuger) et interprétation en termes de procédé.

  • N. Quach-Vu-(En cours depuis 2010-04-26)
    Contact :
    Groupe : Micro et Nano Optique (MINAO)


    En savoir plus
Retour sommet page

Puce Thèses


  • Amplification optique et emission laser dans des nanostructures hybrides III-V/SOI injectees electriquement

  • F. Manegatti-(En cours depuis 2017-01-02)
    Contact : F. Raineri
    Groupe :


    En savoir plus

  • Dynamique non-linéaire et synchronisation de résonateurs nano-optomécaniques

  • G. Madiot-(En cours depuis 2016-10-02)
    Contact : R. Braive
    Groupe : NanoPhotonIQ (NanoPhotonIQ)


    En savoir plus

  • Elaboration de cellules solaires en GaAs à base de substrats texturés sur verre.

  • D. Pelati-(En cours depuis 2015-12-31)
    Contact : F. Oehler
    Groupe :


    En savoir plus

  • L’effet Hall quantique en métrologie

  • J. Brun-Picard-(En cours depuis 2015-11-09)
    Contact : D. Mailly
    Groupe :


    En savoir plus

  • Intriquer et mesurer le spin d'une boîte quantique avec un photon unique

  • P. Hilaire-(En cours depuis 2015-11-01)
    Contact : O. Krebs , L. Lanco
    Groupe :


    En savoir plus

  • Application du concept de la symétrie Parité-Temps à l'optique intégrée

  • V. Brac-(En cours depuis 2015-10-01)
    Contact : A. Ramdane , A. Lupu
    Groupe : Dispositifs Photoniques (PHODEV)


    En savoir plus

  • Cellules solaires à nanofils de GaAs

  • H.-L. Chen-(En cours depuis 2015-10-01)
    Contact : S. Collin
    Groupe : Dispositifs Photoniques (PHODEV)


    En savoir plus

  • Integrated actuation of photonic crystal membranes for optomechanics

  • R. Zhu-(En cours depuis 2015-10-01)
    Contact : R. Braive
    Groupe : NanoPhotonIQ (NanoPhotonIQ)


    En savoir plus
Retour sommet page

Puce Stages

Master 2


  • Electrical and thermal behaviour of III-V on Si hybrid interfaces and devices

  • M. Valdivia-(En cours depuis 2016-12-01)
    Niveau : Master2
    Contact : A. Talneau , G. Patriarche
    Groupe : Groupe d'Optique des Structures Semi-conductrices (GOSS)
                Elaboration et Physique des Structures Epitaxiées (ELPHYSE)


    En savoir plus
    Silicon will be the future of integrated photonics. III-V materials should be associated to Si to provide efficient emission or amplification in the 1.55µm Telecom domain as well as low-cost light-weight photovoltaic devices. C2N has developed an oxide-free bonding technique of both materials that demonstrates electrical conduction at the interface [1-2].
    The internship aims at studying the electrical and thermal behaviour of the hybrid interface according to the bonding conditions and the doping of the bonded materials and to operate it in actual devices.LUMERICAL commercial simulation tool will be used to investigate the electrical and thermal behaviour according to the material and geometrical parameters. C2N Marcoussis has large clean room facilities where hybrid interfaces and hybrid devices will be fabricated. Electrical and thermal measurements will be performed on dedicated set-up.
    The student intern may acquire knowledge in device simulation, clean-room nano-fabrication techniques and experimental characterization.

    [1] A.Talneau et al., Appl. Phys. Lett.,103,081901 (2013)
    [2] K.Pantzas et al., Tu-D2-3, IPRM 2014

    This research activity can be developed during a PhD proposed at the Paris Saclay University. The financial support is the doctoral allocation from Ecole Doctorale EDOM.

  • Emetteurs ultra-violet (λ ~300 nm) à semiconducteurs dans une configuration d’émission par la surface en microcavité verticale étendue. (UV-VECSEL)

  • J. Arotce-(En cours depuis 2016-01-08)
    Niveau : Master2
    Contact : S. Bouchoule
    Groupe : Dispositifs Photoniques (PHODEV)


    En savoir plus
    Durée: 3 mois minimum -période : Mars 2016 - Novembre 2016
    Le sujet est à dominante expérimentale et micro-nanotechnologies salle blanche.
    CONTEXTE :
    Les laboratoires LPN, UMI-GT (Metz) et Institut Pascal (Clermont-Ferrand) collaborent pour développer des sources optiques UV (λ ~300 nm) en semiconducteur dans une configuration d’émission par la surface en microcavité verticale de type VCSEL (vertical-cavitty-surface-emitting laser). A l’heure actuelle, la plus courte longueur d’onde atteinte avec un VCSEL se situe autour de λ ~400 nm. Le LPN, l’UMI-Metz et l’Institut Pascal ont mis au point des structures actives AlGaN/AlGaN épitaxiées sur saphir (0001) émettant dans le domaine de longueur d’onde 280 nm - 340 nm. Pour tester optiquement ces structures, le LPN a proposé une configuration en cavité étendue dans le substrat de saphir, qui permet de réaliser les deux miroirs de cavité hautement réfléchissants (ou réflecteurs de Bragg – DBR) après l’épitaxie de la couche active. Dans une configuration à émission verticale le gain maximum par passage est de quelques %, et les pertes totales de cavité doivent être maintenues à ce niveau pour atteindre le seuil laser. La configuration choisie de type plan-concave garantit en principe cette condition. Le LPN a développé une technologie de microlentilles de rayon de courbure adapté, transférées dans le saphir après amincissement et polissage de la face arrière du substrat.
    OBJECTIFS DU STAGE :
    Le/la stagiaire fabriquera en salle blanche et caractérisera de tels émetteurs UV (λ ~300 nm) Il/elle optimisera et intégrera des microlentilles aux structures actives à multipuits quantiques AlGaN/AlGaN sur saphir réalisées par l’UMI-Metz. Il/elle pourra etre amené(e) à optimiser l’étape de polissage du saphir si cela s’avère nécessaire. Il/elle déposera des DBRs diélectriques. Il/elle mesurera les facteurs de qualité et les pertes des cavités réalisées et comparera ces valeurs à des modèles (matrice de transfert), et aux pertes des cavités plan-plan. Il caractérisera le temps de vie des structures actives par TR-CL. Suivant les résultats obtenus il/elle pourra être amené(e) à voyager à l’Institut Pascal pour participer au test des dispositifs sous pompage optique pulsé à basse température.

  • Caractérisation de laser à semiconducteur à émission par la surface de type VECSEL à 1.55µm, pour l’émission bi-fréquence.

  • D. Vialloux-(En cours depuis 2016-01-08)
    Niveau : Master2
    Contact : S. Bouchoule
    Groupe : Dispositifs Photoniques (PHODEV)


    En savoir plus
    Durée: 3 mois minimum -période : Mars 2016-Juillet2016
    Le(/la) stagiaire devra avoir le goût du travail expérimental , avoir des connaissances en physique des lasers et avoir des notions de modélisation optique.
    CONTEXTE :
    La configuration laser VECSEL (vertical external cavity surface emitting laser) est basée sur une cavité optique de type plan-concave de haute finesse, intégrant un composant semiconducteur incluant le milieu actif (appelé ½-VCSEL), et un miroir externe. La configuration de cavité étendue dans l’air permet d’insérer des éléments dans la cavité pour contrôler les propriétés de l’émission laser. Le LPN réalise des lasers de type VECSEL émettant à 1.5µm pour des applications dans le domaine des communications optiques ou de l’instrumentation sur fibre. En particulier, le laboratoire s’intéresse aux puces VECSEL pour une émission laser bi-fréquence à 1.5µm, c-a-d sur deux modes de cavités de polarisations orthogonales, séparés spectralement. Un VECSEL bi-fréquence à 1.5µm, pourrait constituer une source intéressante dans un système interrogateur sur fibre optique fondé sur l’effet Brillouin, potentiellement bas-coût.
    OBJECTIF DU STAGE:
    l’objectif du travail de stage de mastère sera d’étudier et de caractériser des sources VECSELs émettant à 1550nm, en régime monofréquence, puis en régime bi-fréquence au regard des spécifications requises pour construire un interrogateur Brillouin.
    Le(/la) stagiaire devra prendre en charge en salle blanche certaines étapes de fabrication du ½-VCSEL (et la modélisation de la réponse optique du composant par méthode des matrices de transfert) . Il/elle devra caractériser le fonctionnement laser en régime monofréquence et bi-fréquence, sur le banc expérimental existant, dans le but de contrôler une différence de fréquence dans la bande [9 GHz -13GHz] d’intérêt pour les systèmes interrogateurs Brillouin.

  • Détection rapide d’agents pathogènes: dispositifs nanofluidiques à préconcentration selective (Master)

  • S. Ngom-(En cours depuis 2013-01-01)
    Niveau : Master2
    Contact : A.-M. Haghiri-Gosnet
    Groupe : Nanotechnologie et Dispositifs Microfluidiques (NANOFLU)


    En savoir plus
    Détecter des biomolécules à l’état de traces, c’est-à-dire à des concentrations inférieures au pico-molaire, est l’un des objectifs actuels des puces à immuno-détection. Les dispositifs nanofluidiques apparaissent aujourd’hui comme une voie prometteuse pour simultanément pré-concentrer et détecter des agents pathogènes du biorisque. Au LPN, des travaux récents sur le transport sélectif au travers de nanofentes ont montré qu’il est possible de préconcentrer des biomolécules d’un facteur 1000. Notre groupe a développé un savoir-faire à la fois théorique et expérimental sur les mécanismes d’électro-préconcentration dans des puces en verre. Nous savons aujourd’hui piloter la préconcentration pour localiser la protéine fortement diluée dans le réservoir en amont de la nanofente. Nous souhaitons maintenant implémenter ce démonstrateur dans une biopuce intégrée. Ce stage développera des dispositifs nanofluidiques innovants pour la multi-détection d’agents pathogènes (en collaboration avec la DGA). Pour moduler la charge de surface volumique, différentes géométries du nanofiltre seront étudiées: (1) intégration d’une électrode polarisable et (2) intégration de nanopores obtenus par lithographie 3D. Des simulations permettront d’étudier le transport électrocinétique dans ces différentes nanostructures. Références: [1] A. Plecis, C. Nanteuil, A-M. Haghiri-Gosnet, Y. Chen, Anal. Chem. 80, (2008) 9542, [2] A. Plecis, A. Pallandre, A-M. Haghiri-Gosnet, Lab Chip, 11 (2011) 785-804. Ce stage peut déboucher sur une thèse (financement DGA possible – demande en Janvier 2013)
Retour sommet page

Master 1


  • Réalisation d’une micro-cavité verticale étendue pour émetteurs optiques dans l’ultra-violet.

  • G. Pihan-(En cours depuis 2016-03-01)
    Niveau : Master1
    Contact : S. Bouchoule
    Groupe : Dispositifs Photoniques (PHODEV)


    En savoir plus
    Stage de niveau M1
    DUREE : 3 mois minimum. Période : Mars-2016-Novembre2016.
    CONTEXTE :
    Le sujet est à dominante expérimentale et micro-nanotechnologies salle blanche.
    Les laboratoires LPN, UMI-GT (Metz) et Institut Pascal (Clermont-Ferrand) collaborent pour développer des sources optiques UV (λ ~300 nm) en semiconducteur dans une configuration d’émission par la surface en microcavité verticale de type VCSEL (vertical-cavitty-surface-emitting laser). A l’heure actuelle, la plus courte longueur d’onde atteinte avec un VCSEL se situe autour de λ ~400 nm. Le LPN, l’UMI-Metz et l’Institut Pascal ont mis au point des structures actives AlGaN/AlGaN épitaxiées sur saphir monocristallin (0001) émettant dans le domaine de longueur d’onde 280 nm - 340 nm. Pour tester optiquement ces structures, le LPN a proposé une configuration en cavité étendue qui permet de réaliser les deux miroirs de cavité hautement réfléchissants (ou réflecteurs de Bragg – DBR) après l’épitaxie de la couche active. Dans une configuration laser à émission verticale le gain maximum par passage est de quelques %, et les pertes totales de cavité doivent être maintenues à ce niveau pour atteindre le seuil laser. Le LPN a proposé une technologie de microlentilles intégrées qui garantit en principe cette condition.
    * OBJECTIFS DU STAGE : Le/la stagiaire développera des microlentilles présentant une géométrie adaptée, transférées dans un substrat de saphir par gravure plasma haute densité après amincissement et polissage de la face arrière du substrat . Il/elle pourra aussi etre amené(e) à optimiser l’étape de polissage du saphir si cela s’avère nécessaire. Suivant les résultats obtenus, il/elle mesurera les facteurs de qualité et les pertes de cavités réalisées en intégrant la microlentille.
    Le travail se déroulera au LPN, principalement dans la salle blanche de micro-nanofabrication. L’étudiant sera autonome sur les techniques de lithographie, traitements thermiques des résines et gravure plasma, et certaines caractérisations (microscopie optique, profilométrie mécanique). Il devra faire preuve de méthodologie, être capable de définir et suivre un plan d’expérience pour optimiser certaines étapes technologiques, et de produire des rapports détaillés d’expériences.
Retour sommet page

Licence


  • Développement et fabrication en salle blanche d’une puce atomique pour la manipulation d’atomes froids.

  • J. Robert-(En cours depuis 2016-01-07)
    Niveau : Licence
    Contact : S. Bouchoule
    Groupe : Dispositifs Photoniques (PHODEV)


    En savoir plus
    Stage niveau L3
    Durée 2 mois minimum - Période : Mars 2016 - Novembre 2016
    CONTEXTE:
    Le laboratoire LCF de l'Institut d'Optique étudie, dans une dans une enceinte sous ultra-vide les propriétés quantiques d’atomes froids amenés dans un état particulier appelé condensat de Bose. Dans ce condensat les atomes (Rubidium) sont à une température proche de 0 K. Le condensat est confiné par un microcircuit placé au coeur de l’enceinte, appelé « puce atomique ». La puce atomique développée au LCF a deux fonctions. D’abord elle permet de confiner les atomes, par un piège magnéto-optique ; le micro-circuit constituant la puce (un réseau de microfils métalliques parcourus par un fort courant) génère un champ magnétique de piégeage au-dessus de la surface de la puce. Ensuite la surface de la puce forme un miroir optique qui permet de visualiser le nuage d’atomes par imagerie d’absorption. La qualité du piège magnétique dépend de la qualité des microfils. La qualité des images du condensat dépend de la qualité du miroir optique: surface parfaitement plane sur une grande surface. Les atomes sont au-dessus de la surface-miroir de la puce, mais pas trop éloignés des microfils (typiquement à une distance de 5 à 10 µm). Le miroir ne doit pas se dégrader dans le temps pour conserver longtemps la puce atomique dans l’enceinte à vide. La puce atomique est fabriquée en salle blanche au LPN à Marcoussis par des procédés microtechnologiques. Le LPN a développé une nouvelle génération de puce atomique qui devrait présenter une meilleure résistance à l’échauffement et une très bonne planéité du miroir de surface.
    OBJECTIFS DU STAGE:
    Le(/la) stagiaire devra prendre en charge en salle blanche certaines étapes critiques de fabrication de la puce. Il/elle devra caractériser la puce au plan électrique et optique. Ce travail se déroulera au LPN. Les puces réalisées seront ensuite caractérisées plus finement par le biais de mesures électro-thermiques, au LPN et au LCF. Le(/la) stagiaire devra comparer la résistance thermique des différentes générations de puces. Enfin, au LCF le(/la) stagiaire contribuera à l’assemblage d’un banc de test sous vide primaire/secondaire, pour étudier le vieillissement des miroirs optiques (réalisés au LPN) sous vapeur de Rubidium.
    * Contact : sophie.bouchoule@lpn.cnrs.fr
Retour sommet page

Nous contacter         Annuaire         Venir au C2N Marcoussis