







Dans ce domaine on vise entre autres objectifs à la définition, l’élaboration et l’étude structurelle de couches minces et d’hétérostructures présentant des propriétés électriques et optiques remarquables, puis à l'insertion de ces matériaux dans des dispositifs optoélectroniques et photoniques. L’ambition est de favoriser ainsi l’émergence de nouvelles filières de composants pour la microélectronique, l’optoélectroniques et la photonique.
Cette thématique passe par la maîtrise toujours accrue de la croissance épitaxiale de structures de plus en plus exigeantes et complexes. Nos actions dans ce domaine portent sur l’épitaxie de nouvelles structures à base de puits ou de boîtes quantiques, de super-réseaux à très courte période, de microcavités de haute finesse à base de miroirs de Bragg, de matériaux et structures pour optique non linéaire à haute efficacité, de matériaux pour sources laser à haute performance, la détection infrarouge ou de nouveaux alliages III-V pour couches actives à 1,3 et 1,55 µm sur substrat GaAs.
On retrouve également ici la mise au point de méthodes innovantes pour la réalisation de couches contraintes de qualité : épitaxie sur substrats « universels » ou « compliants », collage épitaxial, ou croissance métamorphique. Ce volet élaboration est intimement lié à un volet physique de la croissance et des matériaux visant à une meilleure compréhension et maîtrise des phénomènes physiques régissant la configuration locale à l'échelle mésoscopique, la structure et la stabilité des hétéroépitaxies à fort désaccord de maille et leur modes de relaxation des contraintes. Cet effort participe dans son ensemble à la progression des concepts et des nouveaux dispositifs.
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Mis à jour le 05/07/2012 |
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