






Le but ici est de réaliser des dispositifs ayant une efficacité supérieure à l’état de l’art et des fonctionnalités électronique et optoélectronique innovantes (transistor à très hautes fréquences, mémoire et logique optique, laser à courant de seuil très faible, régénération optique large bande et à haut débit, commutation et conversion de longueur d’onde, conversion optique-hyperfréquence, circuits optiques). Parmi les dispositifs déjà explorés dans cette direction les nouvelles structures pour TBH et photodétecteurs, les structures à cavité verticale ou les structures à bande interdite photonique constituent de nouvelles classes de composants susceptibles de répondre aux défis actuels de l'optoélectronique en terme de coût et de performances. Un des volets importants de cette thématique est la réalisation de lasers et fonctions optiques à cavité verticale (VCSEL et portes optiques régénératrices ultra rapides), de photo-oscillateurs à superréseau, de composants optoélectroniques pour applications 1,3-1,5 µm (laser-modulateurs incluant des boîtes quantiques, circuits photoniques à base de matériaux à bande interdite photonique), de transistors (TBH, HEMT) à hautes fréquences. Dans la perspective de l’intégration de l’optoélectronique sur III-V et de la microélectronique sur Si, nous travaillons à l’élaboration de structures III-V performantes sur pseudo-substrats de Ge/Si et à la réalisation de composants test pour leur validation.
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