CNRS/C2N : Current Internship Training, PhDs and Post-docs (LPN) 
Centre for Nanosciences and Nanotechnology - Marcoussis Campus
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Current Internship Training, PhDs and Post-docs
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Past and current Internship Training

Trait horizontal

Puce Post-docs

Puce PhDs

Puce Internship Training

Puce      Master 2

Puce      Licence

Trait vertical

Here is a list of current Post-Docs, PhDs and Internship Training. You can also refer to Internship Training proposals.

Puce Post-docs


  • Développement de briques technologiques (gravure ICP, contacts ohmiques) sur GaN et ses alliages.

  • G. Dagher-(On going since 2009-01-01)
    Contact : J.-L. Pelouard
    Group : Micro and Nano Optics (MINAO)


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  • Réalisation et étude par transmission/réflexion de nanostructures métal-diélectrique membranaires pour la nanophotonique

  • P. Ghenuche-(On going since 2009-01-01)
    Contact : S. Collin
    Group : Micro and Nano Optics (MINAO)


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  • Développement de briques technologiques pour la réalisation de dispositifs à base de nanotubes de carbone. Montage expérimental de mesure du photocourant issu des détecteurs infrarouges à grande longueur d’onde mettant en oeuvre des contacts sous pointes dans un cryostat et un spectromètre à transformée de Fourier.

  • S. Maine-(On going since 2009-01-01)
    Contact :
    Group : Micro and Nano Optics (MINAO)


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  • Développement de procédés de gravure par voies chimique et sèche : analyse des chimies de surface (XPS, nanoAuger) et interprétation en termes de procédé.

  • N. Quach-Vu-(On going since 2010-04-26)
    Contact :
    Group : Micro and Nano Optics (MINAO)


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Puce PhDs


  • Light Amplification and laser emission in electrically driven hybrid III-V semiconductor/SOI nanostructures

  • F. Manegatti-(On going since 2017-01-02)
    Contact : F. Raineri
    Group :


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  • Non-linear dynamics and synchronization of nano-optomechanical resonators

  • G. Madiot-(On going since 2016-10-02)
    Contact : R. Braive
    Group : NanoPhotonIQ (NanoPhotonIQ)


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  • Elaboration de cellules solaires en GaAs à base de substrats texturés sur verre.

  • D. Pelati-(On going since 2015-12-31)
    Contact : F. Oehler
    Group :


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  • L’effet Hall quantique en métrologie

  • J. Brun-Picard-(On going since 2015-11-09)
    Contact : D. Mailly
    Group :


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  • Intriquer et mesurer le spin d'une boîte quantique avec un photon unique

  • P. Hilaire-(On going since 2015-11-01)
    Contact : O. Krebs , L. Lanco
    Group :


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  • Application du concept de la symétrie Parité-Temps à l'optique intégrée

  • V. Brac-(On going since 2015-10-01)
    Contact : A. Ramdane , A. Lupu
    Group : Photonic devices (PHODEV)


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  • Cellules solaires à nanofils de GaAs

  • H.-L. Chen-(On going since 2015-10-01)
    Contact : S. Collin
    Group : Photonic devices (PHODEV)


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  • Integrated actuation of photonic crystal membranes for optomechanics

  • R. Zhu-(On going since 2015-10-01)
    Contact : R. Braive
    Group : NanoPhotonIQ (NanoPhotonIQ)


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Puce Internship Training

Master 2


  • Electrical and thermal behaviour of III-V on Si hybrid interfaces and devices

  • M. Valdivia-(On going since 2016-12-01)
    Level : Master2
    Contact : A. Talneau , G. Patriarche
    Group : Optic of Semiconductor nanoStructures Group (GOSS)
                Elaboration and Physics of Epitaxial Structures (ELPHYSE)


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    Silicon will be the future of integrated photonics. III-V materials should be associated to Si to provide efficient emission or amplification in the 1.55µm Telecom domain as well as low-cost light-weight photovoltaic devices. C2N has developed an oxide-free bonding technique of both materials that demonstrates electrical conduction at the interface [1-2].
    The internship aims at studying the electrical and thermal behaviour of the hybrid interface according to the bonding conditions and the doping of the bonded materials and to operate it in actual devices.LUMERICAL commercial simulation tool will be used to investigate the electrical and thermal behaviour according to the material and geometrical parameters. C2N Marcoussis has large clean room facilities where hybrid interfaces and hybrid devices will be fabricated. Electrical and thermal measurements will be performed on dedicated set-up.
    The student intern may acquire knowledge in device simulation, clean-room nano-fabrication techniques and experimental characterization.

    [1] A.Talneau et al., Appl. Phys. Lett.,103,081901 (2013)
    [2] K.Pantzas et al., Tu-D2-3, IPRM 2014

    This research activity can be developed during a PhD proposed at the Paris Saclay University. The financial support is the doctoral allocation from Ecole Doctorale EDOM.

  • Surface-emitting semiconducor ultra-violet emitters (λ ~300 nm) using a vertical extended microcavity configuration (UV-VECSEL).

  • J. Arotce-(On going since 2016-01-08)
    Level : Master2
    Contact : S. Bouchoule
    Group : Photonic devices (PHODEV)


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    Durée: 3 mois minimum -période : Mars 2016 - Novembre 2016
    Le sujet est à dominante expérimentale et micro-nanotechnologies salle blanche.
    CONTEXTE :
    Les laboratoires LPN, UMI-GT (Metz) et Institut Pascal (Clermont-Ferrand) collaborent pour développer des sources optiques UV (λ ~300 nm) en semiconducteur dans une configuration d’émission par la surface en microcavité verticale de type VCSEL (vertical-cavitty-surface-emitting laser). A l’heure actuelle, la plus courte longueur d’onde atteinte avec un VCSEL se situe autour de λ ~400 nm. Le LPN, l’UMI-Metz et l’Institut Pascal ont mis au point des structures actives AlGaN/AlGaN épitaxiées sur saphir (0001) émettant dans le domaine de longueur d’onde 280 nm - 340 nm. Pour tester optiquement ces structures, le LPN a proposé une configuration en cavité étendue dans le substrat de saphir, qui permet de réaliser les deux miroirs de cavité hautement réfléchissants (ou réflecteurs de Bragg – DBR) après l’épitaxie de la couche active. Dans une configuration à émission verticale le gain maximum par passage est de quelques %, et les pertes totales de cavité doivent être maintenues à ce niveau pour atteindre le seuil laser. La configuration choisie de type plan-concave garantit en principe cette condition. Le LPN a développé une technologie de microlentilles de rayon de courbure adapté, transférées dans le saphir après amincissement et polissage de la face arrière du substrat.
    OBJECTIFS DU STAGE :
    Le/la stagiaire fabriquera en salle blanche et caractérisera de tels émetteurs UV (λ ~300 nm) Il/elle optimisera et intégrera des microlentilles aux structures actives à multipuits quantiques AlGaN/AlGaN sur saphir réalisées par l’UMI-Metz. Il/elle pourra etre amené(e) à optimiser l’étape de polissage du saphir si cela s’avère nécessaire. Il/elle déposera des DBRs diélectriques. Il/elle mesurera les facteurs de qualité et les pertes des cavités réalisées et comparera ces valeurs à des modèles (matrice de transfert), et aux pertes des cavités plan-plan. Il caractérisera le temps de vie des structures actives par TR-CL. Suivant les résultats obtenus il/elle pourra être amené(e) à voyager à l’Institut Pascal pour participer au test des dispositifs sous pompage optique pulsé à basse température.

  • Development of vertical extended cavity surface-emitting semiconductor laser (VECSEL) at 1550nm, for dual-frequency emission

  • D. Vialloux-(On going since 2016-01-08)
    Level : Master2
    Contact : S. Bouchoule
    Group : Photonic devices (PHODEV)


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    Durée: 3 mois minimum -période : Mars 2016-Juillet2016
    Le(/la) stagiaire devra avoir le goût du travail expérimental , avoir des connaissances en physique des lasers et avoir des notions de modélisation optique.
    CONTEXTE :
    La configuration laser VECSEL (vertical external cavity surface emitting laser) est basée sur une cavité optique de type plan-concave de haute finesse, intégrant un composant semiconducteur incluant le milieu actif (appelé ½-VCSEL), et un miroir externe. La configuration de cavité étendue dans l’air permet d’insérer des éléments dans la cavité pour contrôler les propriétés de l’émission laser. Le LPN réalise des lasers de type VECSEL émettant à 1.5µm pour des applications dans le domaine des communications optiques ou de l’instrumentation sur fibre. En particulier, le laboratoire s’intéresse aux puces VECSEL pour une émission laser bi-fréquence à 1.5µm, c-a-d sur deux modes de cavités de polarisations orthogonales, séparés spectralement. Un VECSEL bi-fréquence à 1.5µm, pourrait constituer une source intéressante dans un système interrogateur sur fibre optique fondé sur l’effet Brillouin, potentiellement bas-coût.
    OBJECTIF DU STAGE:
    l’objectif du travail de stage de mastère sera d’étudier et de caractériser des sources VECSELs émettant à 1550nm, en régime monofréquence, puis en régime bi-fréquence au regard des spécifications requises pour construire un interrogateur Brillouin.
    Le(/la) stagiaire devra prendre en charge en salle blanche certaines étapes de fabrication du ½-VCSEL (et la modélisation de la réponse optique du composant par méthode des matrices de transfert) . Il/elle devra caractériser le fonctionnement laser en régime monofréquence et bi-fréquence, sur le banc expérimental existant, dans le but de contrôler une différence de fréquence dans la bande [9 GHz -13GHz] d’intérêt pour les systèmes interrogateurs Brillouin.

  • Fast detection of pathogenic agents: nanofluidic devices for selective pre-concentration. (Master)

  • S. Ngom-(On going since 2013-01-01)
    Level : Master2
    Contact : A.-M. Haghiri-Gosnet
    Group : Nanotechnology and Microfluidic Devices (NANOFLU)


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    One of the most challenging problems in immunoassays is to detect low abundance analytes in complex samples. If filtration through nanoporous membrane was first proposed as an efficient preconcentrator, recent theoretical studies1-2 of perm-selective transport through nanochannel have predicted high rate of pre-concentration (up to 103). In this context nanofluidics appears as a very promising route for studying the preconcentration of pathogenic agents in the field of bio-risk. During the last 4 years, our group has developed a double theoretical and experimental expertise on the mechanisms of preconcentration in such a nanofluidic device. Based on an original process in pure glass chip3, selective preconcentration can be monitored to spatially isolate the low abundant protein in the anodic chamber. One top view of the nanoslit device is shown in the figure where the location of preconcentration corresponds to the fluorescent point. Further work is now needed to implement such demonstrator in a more applicative biochip that has to be adapted for multiplex detection of complex samples. The Master/PhD work will focus on the development of new nanofluidic preconcentrator devices for a multiplex detection of pathogenic agents (such as ovalbumine for the threat of toxins). To modulate the volumic surface charge (VSC)2 different geometries for the selective nanofilter will be studied: (1) integration of polarisable electrode and (2) integration of original nanostructures by 3D Lithography. Simulations1-2 will be performed to study and predict the electrokinetic transport under high field and hydrodynamic pressure. Developing fast sensitive analytic methods for the detection of “fluorescent antibodies/bioagents of the threat” is our main goal. The final direction of this work will strongly depend on the candidate's ambitions. This work is financial supported by French army (DGA). Acquired skills: This is a highly multidisciplinary research topic at the interface between physics, analytical chemistry and biology. You will work with people skilled in these three disciplines including the 3rd year PhD (A-C Louër) engaged on this subject. At the end of your PhD, you should have acquired a large experience in microfluidics (fluorescent microscopy, numerical simulations) with a specific know-how on micro- and nanofabrication processes in a clean room environment.
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Master 1


  • Réalisation d’une micro-cavité verticale étendue pour émetteurs optiques dans l’ultra-violet.

  • G. Pihan-(On going since 2016-03-01)
    Level : Master1
    Contact : S. Bouchoule
    Group : Photonic devices (PHODEV)


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    Stage de niveau M1
    DUREE : 3 mois minimum. Période : Mars-2016-Novembre2016.
    CONTEXTE :
    Le sujet est à dominante expérimentale et micro-nanotechnologies salle blanche.
    Les laboratoires LPN, UMI-GT (Metz) et Institut Pascal (Clermont-Ferrand) collaborent pour développer des sources optiques UV (λ ~300 nm) en semiconducteur dans une configuration d’émission par la surface en microcavité verticale de type VCSEL (vertical-cavitty-surface-emitting laser). A l’heure actuelle, la plus courte longueur d’onde atteinte avec un VCSEL se situe autour de λ ~400 nm. Le LPN, l’UMI-Metz et l’Institut Pascal ont mis au point des structures actives AlGaN/AlGaN épitaxiées sur saphir monocristallin (0001) émettant dans le domaine de longueur d’onde 280 nm - 340 nm. Pour tester optiquement ces structures, le LPN a proposé une configuration en cavité étendue qui permet de réaliser les deux miroirs de cavité hautement réfléchissants (ou réflecteurs de Bragg – DBR) après l’épitaxie de la couche active. Dans une configuration laser à émission verticale le gain maximum par passage est de quelques %, et les pertes totales de cavité doivent être maintenues à ce niveau pour atteindre le seuil laser. Le LPN a proposé une technologie de microlentilles intégrées qui garantit en principe cette condition.
    * OBJECTIFS DU STAGE : Le/la stagiaire développera des microlentilles présentant une géométrie adaptée, transférées dans un substrat de saphir par gravure plasma haute densité après amincissement et polissage de la face arrière du substrat . Il/elle pourra aussi etre amené(e) à optimiser l’étape de polissage du saphir si cela s’avère nécessaire. Suivant les résultats obtenus, il/elle mesurera les facteurs de qualité et les pertes de cavités réalisées en intégrant la microlentille.
    Le travail se déroulera au LPN, principalement dans la salle blanche de micro-nanofabrication. L’étudiant sera autonome sur les techniques de lithographie, traitements thermiques des résines et gravure plasma, et certaines caractérisations (microscopie optique, profilométrie mécanique). Il devra faire preuve de méthodologie, être capable de définir et suivre un plan d’expérience pour optimiser certaines étapes technologiques, et de produire des rapports détaillés d’expériences.
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Licence


  • Développement et fabrication en salle blanche d’une puce atomique pour la manipulation d’atomes froids.

  • J. Robert-(On going since 2016-01-07)
    Level : Licence
    Contact : S. Bouchoule
    Group : Photonic devices (PHODEV)


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    Stage niveau L3
    Durée 2 mois minimum - Période : Mars 2016 - Novembre 2016
    CONTEXTE:
    Le laboratoire LCF de l'Institut d'Optique étudie, dans une dans une enceinte sous ultra-vide les propriétés quantiques d’atomes froids amenés dans un état particulier appelé condensat de Bose. Dans ce condensat les atomes (Rubidium) sont à une température proche de 0 K. Le condensat est confiné par un microcircuit placé au coeur de l’enceinte, appelé « puce atomique ». La puce atomique développée au LCF a deux fonctions. D’abord elle permet de confiner les atomes, par un piège magnéto-optique ; le micro-circuit constituant la puce (un réseau de microfils métalliques parcourus par un fort courant) génère un champ magnétique de piégeage au-dessus de la surface de la puce. Ensuite la surface de la puce forme un miroir optique qui permet de visualiser le nuage d’atomes par imagerie d’absorption. La qualité du piège magnétique dépend de la qualité des microfils. La qualité des images du condensat dépend de la qualité du miroir optique: surface parfaitement plane sur une grande surface. Les atomes sont au-dessus de la surface-miroir de la puce, mais pas trop éloignés des microfils (typiquement à une distance de 5 à 10 µm). Le miroir ne doit pas se dégrader dans le temps pour conserver longtemps la puce atomique dans l’enceinte à vide. La puce atomique est fabriquée en salle blanche au LPN à Marcoussis par des procédés microtechnologiques. Le LPN a développé une nouvelle génération de puce atomique qui devrait présenter une meilleure résistance à l’échauffement et une très bonne planéité du miroir de surface.
    OBJECTIFS DU STAGE:
    Le(/la) stagiaire devra prendre en charge en salle blanche certaines étapes critiques de fabrication de la puce. Il/elle devra caractériser la puce au plan électrique et optique. Ce travail se déroulera au LPN. Les puces réalisées seront ensuite caractérisées plus finement par le biais de mesures électro-thermiques, au LPN et au LCF. Le(/la) stagiaire devra comparer la résistance thermique des différentes générations de puces. Enfin, au LCF le(/la) stagiaire contribuera à l’assemblage d’un banc de test sous vide primaire/secondaire, pour étudier le vieillissement des miroirs optiques (réalisés au LPN) sous vapeur de Rubidium.
    * Contact : sophie.bouchoule@lpn.cnrs.fr
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